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J-GLOBAL ID：201502214685285070   整理番号：15A1114763

HNO_3改質活性炭によるHg~0除去効率に及ぼすO/N基の増強効果【Powered by NICT】

Enhanced Effect of O/N Groups on the Hg0 Removal Efficiency over the HNO_3-Modified Activated Carbon

著者 (6件)： Tong Li (Inst. of Process Engineering, Chinese Acad. of Sciences Beijing Engineering Res. Center of Process Pollution ...) ,  Xu Wenqing (Inst. of Process Engineering, Chinese Acad. of Sciences Beijing Engineering Res. Center of Process Pollution ...) ,  Qi Hao (Inst. of Process Engineering, Chinese Acad. of Sciences Beijing Engineering Res. Center of Process Pollution ...) ,  Zhou Xuan (Inst. of Process Engineering, Chinese Acad. of Sciences Beijing Engineering Res. Center of Process Pollution ...) ,  Liu Ruihui (Inst. of Process Engineering, Chinese Acad. of Sciences Beijing Engineering Res. Center of Process Pollution ...) ,  Zhu Tingyu (Inst. of Process Engineering, Chinese Acad. of Sciences Beijing Engineering Res. Center of Process Pollution ...)
資料名： Wuli Huaxue Xuebao  (Wuli Huaxue Xuebao)
巻： 31  号： 3  ページ： 512-518  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0391A  ISSN： 1000-6818  CODEN： WHXUEU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HNO_3修飾活性炭(AC)を固定層反応器での水銀除去能力を決定するために調製した。本研究では,HNO_3改質ACはシミュレートした排ガス中の水銀除去に有効であることが分かった。元の試料,HNO_3修飾試料と生産試料を元素分析,Brunauer-Emmett-Teller(BET)比表面積測定,走査電子顕微鏡(SEM),Ramanスペクトル,Boehm滴定,昇温脱離(TPD)法,およびX線光電子分光法(XPS)によって特性化した。結果はHNO_3処理はAC上の酸素と窒素の含有量を増加させることを示した。HNO_3修飾ACの物理的特性と比較して,水銀除去への化学的特性の影響はより顕著であった。Hg~0は主にHNO_3修飾ACによるHgOに酸化される。酸素官能基,カルボニル,エステルまたは無水物は水銀除去のための吸着部位であることが分かった,これらの基はヒドロキシル基またはエーテル基に還元された。,ピロール互変異性体,N官能基が活性触媒部位であることが分かった。HNO_3改質活性炭によるHg~0除去機構は特性化の結果に基づいて提案した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 昇温脱離 ,  水銀 ,  活性部位 ,  *活性炭 ,  X線光電子分光法 ,  排ガス ,  Ramanスペクトル ,  キャラクタリゼーション ,  カルボニル基 ,  固定層反応器 ,  酸素 ,  ヒドロキシ基
準シソーラス用語： ヒドロキシル基 ,  無水物 ,  官能基 ,  *除去効率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化,還元  (CF02060T) ,  分子間相互作用  (BH07020P) ,  貴金属触媒  (CB06122I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 改質 ,  活性炭 ,  除去効率 ,  増強