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J-GLOBAL ID：201502214773096627   整理番号：15A0922315

固体電解質抵抗ランダムアクセスメモリに基づく電子シナプスデバイス

An Electronic Synapse Device Based on Solid Electrolyte Resistive Random Access Memory

著者 (15件)： ZHANG Wei (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  HU Ying (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  CHANG Ting-Chang ,  CHANG Kuan-Chang (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  TSAI Tsung-Ming (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHEN Hsin-Lu (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  SU Yu-Ting ,  CHU Tian-Jian (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  CHEN Min-Chen ,  HUANG Hui-Chun (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  SU Wan-Ching (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  ZHENG Jin-Cheng (Xiamen Univ., Xiamen, CHN) ,  HUNG Ya-Chi (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  SZE Simon M. (National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN) ,  SZE Simon M. (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 8  ページ： 772-774  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリにおいて,生体模倣した神経形態システムがエネルギー効率,並列性,フォールトトレランスなどの優れた性質があるため注目されている。本稿では,神経形態システムの優れた候補として,新しいマルチレベル可能性を持つシナプスデバイスについて検討した。シナプスデバイスとして,Pt/GeSO/TiN構造の固体電解質抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)について検討した。実験の結果,GeS固体電解質の性質によりマルチレベルの可能性があることが分かった。漸進的伝導状態を利用してスパイク-タイミングに依存した神経可塑性ラーニングを実証した。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  模倣 ,  *固体電解質 ,  RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  *シナプス ,  性質 ,  フォールトトレランス
準シソーラス用語： 生体模倣 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  並列性【計算機処理】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 固体電解質 ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  電子 ,  シナプス