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J-GLOBAL ID：201502215143932172   整理番号：15A1332621

パワー半導体の高温動作を可能にするダイボンド材料及び焼結接合技術

Die-Bonding Material and Sintering Joining Technology for Power Semiconductors Allowing Operation at High Temperatures

著者 (3件)： 平塚大祐 (東芝) ,  佐々木陽光 (東芝) ,  井口知洋 (東芝)
資料名： 東芝レビュー  (Toshiba Review)
巻： 70  号： 11  ページ： 46-49  発行年： 2015年11月01日 
JST資料番号： F0360A  ISSN： 0372-0462  CODEN： TORBA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： パワー半導体は家電機器から,車載機器,送配電システムに至るまで幅広く活用されている。従来適用されてきたSi(シリコン)半導体に比べて,より高温での動作が可能なSiC(シリコンカーバイド)半導体の適用により,パワー半導体の動作温度は今後200°C以上に高温化する見込みである。そのため,半導体チップを基板に接合するダイボンド部(はんだなど)の耐熱性が問題になる。そこで東芝は,200°C以上の高温に耐え,放熱性に優れたダイボンド材料の一つとして,銀(Ag)ナノ粒子に着目した。現行のAgナノ粒子接合部の脆化(ぜいか)メカニズムを明確にし,脆化を防ぎ,信頼性を更に向上させる金属塩ナノ析出(MS²NP:Metal Salt Solution-Nano Precipitation)法を開発した。(著者抄録)

シソーラス用語： *電力トランジスタ ,  半導体素子 ,  *はんだ ,  *材料 ,  *接合 ,  *高温 ,  *温度 ,  耐熱性 ,  ナノ粒子 ,  脆化 ,  塩 ,  析出物
準シソーラス用語： Agナノ粒子 ,  SiC素子 ,  ナノ析出物 ,  金属塩 ,  *焼結接合 ,  *動作温度

分類 (1件)： 接続部品  (NA05050Z)

引用文献 (5件)：

• Guth, K. et al. "New assembly and interconnects beyond sintering methods". international exhibition & conference for power electronics, intelligent motion, renewable energy & energy market 2010 (PCIM2010). Nuremberg, PCIM, 2010, p.232-237.
• Ide, E. et al. Metal-metal bonding process using Ag metallo-organic nanoparticles. Acta Materialia. 53, 8, 2005, p.2385-2393.
• 平塚大祐 他. 銀ナノ粒子を用いた高信頼性ダイボンド技術.エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術シンポジウム論文集.17,2011,p.111-116.
• Behrens, T. "Novel Copper Metallization on Silicon Carbide Electronic Devices EnablingIncreased Packaging Lifetime and Higher Junction-Temperatures". 15th European Conference on Power Electronics and Applications 2013 (EPE'13), Lille, France, 2013-09, ECCE. 2013, p.1-10.
• Smith, C. S. Grains, Phases, and Interfaces: An Interpretation of Microstructure. Trans. AIME. 175, 1948, p.15-51.

タイトルに関連する用語 (3件)： パワー半導体 ,  高温動作 ,  焼結接合