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J-GLOBAL ID：201502215583825556   整理番号：15A1056983

イオン注入Siの中性子照射による結晶性回復と温度依存性

著者 (13件)： 木野村淳 (産業技術総合研) ,  木野村淳 (京大) ,  義家敏正 (京大) ,  茶谷原昭義 (産業技術総合研) ,  杢野由明 (産業技術総合研) ,  坪内信輝 (産業技術総合研) ,  堀野裕治 (産業技術総合研) ,  XU Q. (京大) ,  佐藤紘一 (京大) ,  佐藤紘一 (鹿児島大) ,  安田啓介 (若狭湾エネルギー研究セ) ,  安田啓介 (京都府大) ,  石神龍哉 (若狭湾エネルギー研究セ)
資料名： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻： 157th  ページ： ROMBUNNO.230  発行年： 2015年09月02日 
JST資料番号： S0988B  ISSN： 2433-3093  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  単結晶 ,  *イオン ,  *イオン注入 ,  *中性子照射 ,  照射損傷 ,  *結晶度 ,  *回復 ,  損傷 ,  Rutherford後方散乱 ,  *ケイ素イオン ,  単結晶シリコン
準シソーラス用語： *結晶性

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  中性子との相互作用  (BK16060O)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  Si ,  中性子照射 ,  結晶性 ,  回復 ,  温度依存性