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J-GLOBAL ID：201502215590066130   整理番号：15A1202650

半導体基板上の金属ナノドットで発生した,熱支援磁気記録熱源としての近接場光の増強

Enhancement of near-field light generated by metal nanodot on semiconductor substrate for heat-assisted magnetic recording heat source

著者 (4件)： KATAYAMA Ryuichi (Fukuoka Inst. of Technol., Fukuoka, JPN) ,  KASUYA Takayuki (Pioneer Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGIURA Satoshi (Pioneer Corp., Kawasaki, JPN) ,  YOSHIZAWA Katsumi (Pioneer Micro Technol. Corp., Kofu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 9S  ページ： 09MG01.1-09MG01.5  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ナノドットが半導体基板上にで形成された,熱で支援された磁気記録発熱体のための新規デバイスにおいて,近接場光の増強の可能性を,金属ナノドットの材料及び半導体材料の適当な組合せを,数値計算により調査した。基板表面に垂直に偏光した光に対するある共振波長における光強度に関する増大因子を,2つの方法で改良できることがわかった。一つは金属ナノドット材料として合金を使用すること,もう一つは半導体基板に材料として三元混晶を使用することである。両方の方法のための設計例が示された。増大因子と他の要素,例えば安定性や,有用性や,便利さ等の他の要素間のバランスを考えて,合金または三元混晶中のそれぞれの元素の比率は決定定されるべきである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  *金属間化合物 ,  *熱磁気記録 ,  光 ,  化合物半導体 ,  ナノドット ,  ナノ金属間化合物 ,  近接場光 ,  三元半導体 ,  *熱アシスト磁気記録 ,  *記録

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

引用文献 (31件)：

• D. Weller and A. Moser, IEEE Trans. Magn. 35, 4423 (1999).
• H. Saga, H. Nemoto, H. Sukeda, and M. Takahashi, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 1839 (1999).
• M. H. Kryder, E. C. Gage, T. W. McDaniel, W. A. Challener, R. E. Rottmayer, G. Ju, Y.-T. Hsia, and M. F. Erden, Proc. IEEE 96, 1810 (2008).
• W. A. Challener, C. Peng, A. V. Itagi, D. Karns, W. Peng, Y. Peng, X. Yang, X. Zhu, N. J. Gokemeijer, Y.-T. Hsia, G. Ju, R. E. Rottmayer, M. A. Seigler, and E. C. Gage, Nat. Photonics 3, 220 (2009).
• B. C. Stipe, T. C. Strand, C. C. Poon, H. Balamane, T. D. Boone, J. A. Katine, J.-L. Li, V. Rawat, H. Nemoto, A. Hirotsune, O. Hellwig, R. Ruiz, E. Dobisz, D. S. Kercher, N. Robertson, T. R. Albrecht, and B. D. Terris, Nat. Photonics 4, 484 (2010).

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体基板 ,  ナノドット ,  熱支援磁気記録 ,  熱源 ,  近接場光 ,  増強