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J-GLOBAL ID：201502215906523570   整理番号：15A1140747

MOCVDによって成長させたAlInGaN/AlN/GaNヘテロ構造の構造品質に及ぼす成長温度の影響

The effect of growth temperature on structural quality of AlInGaN/AlN/GaN heterostructures grown by MOCVD

著者 (8件)： LOGANATHAN R. (Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND) ,  BALAJI M. (Univ. of Madras, Guindy Campus, National Centre for Nanoscience and Nanotechnology, 600 025, Chennai, IND) ,  PRABAKARAN K. (Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND) ,  RAMESH R. (Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND) ,  JAYASAKTHI M. (Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND) ,  ARIVAZHAGAN P. (Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND) ,  SINGH Shubra (Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND) ,  BASKAR K. (Anna Univ., Crystal Growth Centre, 600 025, Chennai, IND)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 7  ページ： 5373-5380  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-有機化学蒸着(MOCVD)によってGaN/サファイア基板上に成長させたAlInGaNエピ層の構造品質に及ぼす成長温度の影響を調べた。高精度X線回折分析,原子間力顕微鏡法,光ルミネセンススペクトル,及びRaman散乱スペクトルによってエピ層を特性化した。成長温度を最適化した。890°Cの成長温度では(0004)及び(10-15)面の半値全幅は312及び618アーク秒になり,高い成長温度でV欠陥ピット数を最小化でき,平均二乗根原子レベルステップを0.13nmにできた。室温光ルミネセンスピークの他の二つの放射はInGaN様クラスタとAlInGaNランダム基質に由来した。748/cmのRamanスペクトルはAlInGaNのA₁(LO)モードに,680/cmのそれはInGaNクラスタ化に起因した。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： MOCVD ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化物 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  素子構造 ,  基板 ,  エピタクシー ,  品質 ,  温度 ,  *光ルミネセンス ,  Raman散乱 ,  X線回折分析 ,  キャラクタリゼーション ,  温度依存性 ,  顕微鏡観察 ,  クラスタ化 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  ヘテロ構造 ,  結晶品質 ,  原子間力顕微鏡法 ,  成長温度

分類 (1件)： 半導体の可視・紫外スペクトル  (BM08083Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  成長 ,  AlN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  成長温度