文献

J-GLOBAL ID：201502215936337674   整理番号：15A0804416

中間周波数マグネトロンスパッタリングによるチタン合金基板上でのc軸配向AlN薄膜の成長

Growth of c-axis oriented AlN thin films on titanium alloy substrate by middle frequency magnetron sputtering

著者 (6件)： JIANG Jianying (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...) ,  PENG Bin (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...) ,  ZHANG Wanli (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...) ,  WANG Yu (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...) ,  SHU Lin (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...) ,  WANG Rui (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 4  ページ： 041509-041509-6  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二ステップ堆積プロセスを開発し,中間周波数マグネトロンスパッタリングにより,チタン合金基板上に高c軸配向AlN薄膜を堆積した。第一ステップにおいて,はじめに,滑らかなAlNシード層を,粗いチタン合金基板上に作製した。次に,第二ステップで,小結晶粒サイズのc軸配向AlN膜を堆積した。AlN膜の微細構造及びc軸配向に及ぼす第一及び第二ステップにおける成長時間の効果を研究した。AlN膜のc軸配向が,第一段階で膜厚に,第二段階では基板温度に強く依存することが分かった。最適プロセス条件において,AlN(0002)ピークロッキング曲線の半値全幅は,4.1°の最小に減少し,作製AlN膜のrms表面粗さは4.3nmであった。作製AlN膜は,圧電マイクロエレクトロメカニカルシステム及び弾性表面波素子における可能な応用をもつであろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  *薄膜成長 ,  チタン合金 ,  基板 ,  結晶粒 ,  *配向 ,  微細構造 ,  *膜厚 ,  *基板温度 ,  ロッキングカーブ ,  表面粗さ
準シソーラス用語： *c軸配向 ,  ロッキング曲線

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 中間周波数 ,  マグネトロンスパッタリング ,  チタン合金 ,  c軸配向 ,  AlN ,  薄膜 ,  成長