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J-GLOBAL ID：201502216069068513   整理番号：15A1268341

異なる基板温度でパルスDCマグネトロンスパッタリングによって堆積されたホウ素ドープZnO薄膜の性質

Properties of boron-doped ZnO thin films deposited by pulsed DC magnetron sputtering at different substrate temperatures

著者 (10件)： WEN B. (Dalian Jiaotong Univ., Engineering Res. Center of Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Sci. and ...) ,  LIU C. Q. (Dalian Jiaotong Univ., Engineering Res. Center of Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Sci. and ...) ,  WANG N. (Dalian Jiaotong Univ., Engineering Res. Center of Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Sci. and ...) ,  WANG H. L. (Dalian Jiaotong Univ., Engineering Res. Center of Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Sci. and ...) ,  LIU S. M. (Dalian Jiaotong Univ., Engineering Res. Center of Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Sci. and ...) ,  JIANG W. W. (Dalian Jiaotong Univ., Engineering Res. Center of Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Sci. and ...) ,  DING W. Y. (Dalian Jiaotong Univ., Engineering Res. Center of Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Sci. and ...) ,  FEI W. D. (Harbin Inst. of Technol., School of Materials Sci. and Engineering, 150001, Harbin, People’s Republic of China) ,  FEI W. D. (Qinghai Univ., School of Mechanical Engineering, 810016, Xining, People’s Republic of China) ,  CHAI W. P. (Dalian Jiaotong Univ., Engineering Res. Center of Optoelectronic Materials and Devices, School of Materials Sci. and ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 121  号： 3  ページ： 1147-1153  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスDCマグネトロンスパッタリングによって,ホウ素ドープZnO(BZO)薄膜を異なる基板温度で正常ガラス基板上に堆積した。BZO薄膜の性質に及ぼす基板温度の効果を体系的に研究した。XRDデータに基づいて,BZO薄膜の結晶化挙動と結晶粒粗大化カイネティクスを解析した。300°Cの基板温度がBZO薄膜の結晶粒粗大化プロセスにおける臨界温度であることを見出した。言い換えると,BZO薄膜の結晶粒粗大化機構は基板温度範囲が300°Cを越えるか否かで異なる。BZO薄膜のモルフォロジーと電気的及び光学的性質をそれぞれ原子間力顕微鏡,Hall効果測定システム,UV-Vis透過分光,によって研究した。基板温度が上がると共に,キャリア濃度とキャリア易動度は増加し,400°Cの基板温度で最小抵抗率(3.4×10^-3Ωcm)が観測された。更に,すべての薄膜で透過率は90%以上で,BZO薄膜の光学的バンド端は基板温度の上昇と共に青色シフトを呈した。Copyright 2015 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *基板温度 ,  *ホウ素 ,  *酸化亜鉛 ,  X線回折 ,  結晶化 ,  結晶成長 ,  臨界温度 ,  モルフォロジー ,  *原子間力顕微鏡 ,  Hall効果 ,  *透過率 ,  キャリア密度 ,  *電気抵抗率 ,  *ドーピング ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *キャリア移動度 ,  基板 ,  *透明導電膜 ,  結晶粒粗大化 ,  *光学定数 ,  *光学ギャップ ,  顕微鏡観察
準シソーラス用語： DCマグネトロンスパッタリング ,  ガラス基板

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 基板温度 ,  パルス ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  ホウ素 ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  性質