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J-GLOBAL ID：201502216083116326   整理番号：15A1046001

MOVPE成長したInAs/In0.5Ga0.2As量子井戸を有する494-GHz-f_T高速InP系高電子移動度トランジスタ

494-GHz-f_T high-speed InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In_0.8Ga_0.2As quantum-well

著者 (3件)： MOUTAOUAKIL Amine El (NTT Device Technol. Lab.) ,  SUGIYAMA Hiroki (NTT Device Technol. Lab.) ,  MATSUZAKI Hideaki (NTT Device Technol. Lab.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.14P-PB2-3  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *HEMT ,  *量子井戸 ,  *MOCVD ,  *リン化インジウム ,  キャリア移動度 ,  電子ガス ,  ドライエッチング ,  電流
準シソーラス用語： *高電子移動度トランジスタ ,  *MOVPE ,  *InP ,  電子移動度 ,  ドレイン電流

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： MOVPE ,  成長 ,  InAs ,  量子井戸 ,  GHz ,  InP ,  高電子移動度トランジスタ