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J-GLOBAL ID：201502216876676624   整理番号：15A1101533

負性静電容量対称二重ゲート電界効果トランジスタに対するキャリアベース解析理論とそのシミュレーション検証

A carrier-based analytical theory for negative capacitance symmetric double-gate field effect transistors and its simulation verification

著者 (4件)： JIANG Chunsheng (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  LIANG Renrong (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Jing (Tsinghua Univ., Beijing, CHN) ,  XU Jun (Tsinghua Univ., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 48  号： 36  ページ： 365103,1-8  発行年： 2015年09月16日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 負性静電容量対称二重ゲート電界効果トランジスタ(NC-SDG FET)のためのキャリアベース解析ドレイン電流モデルがキャリアの微分方程式,Pao-Sah電流式とLandau-Khalatnikov方程式を解くことによって提案される。ストロンチウムビスマスタンタル酸塩(SBT)強誘電材料がモデル結果を定量的に説明するために調べられる。結果は,増幅型半導体表面ポテンシャルと最小S=23mV/10年間が室温(RT)で強誘電膜と絶縁体層の適切な厚さで得られることを示す。解析モデルが負性静電容量(NC)領域での動作に対するCMOSスイッチング応用によって主に検討されるが,それはまたヒステリック挙動を示す。それはメモリー応用に使用される。筆者らの将来の研究では,付加的な強誘電材料がNC-SDG FETの挙動を改善するために使用できる可能性がある。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *静電容量 ,  電流 ,  *強誘電体 ,  ストロンチウム化合物 ,  タンタル酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  素子構造 ,  シミュレーション ,  キャリア
準シソーラス用語： MFIS構造 ,  ストロンチウムビスマスタンタル酸塩 ,  ドレイン電流 ,  二重ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  負性静電容量

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (9件)： 負性静電容量 ,  対称 ,  二重ゲート ,  電界効果トランジスタ ,  キャリア ,  解析 ,  理論 ,  シミュレーション ,  検証