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J-GLOBAL ID：201502217188866432   整理番号：15A1407450

分子線エピタキシーを用いて成長させたSc_xGa_1-xN薄膜の微細構造への金属の豊富な成長条件の効果

The effect of metal-rich growth conditions on the microstructure of Sc_xGa_1-xN films grown using molecular beam epitaxy

著者 (10件)： TSUI H. C. L. (Dep. of Materials, Imperial Coll. London, Exhibition Road, London, SW7 2AZ, GBR) ,  GOFF L. E. ,  BARRADAS N. P. (CTN - Centro de Ciencias e Tecnologias Nucleares, Instituto Superior Tecnico, Universidade de Lisboa, E.N. 10 ao km ...) ,  ALVES E. ,  PEREIRA S. (CICECO and Dep. of Physics, Universidade de Aveiro, 3810-193, Aveiro, PRT) ,  BEERE H. E. (Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, GBR) ,  FARRER I. (Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, GBR) ,  NICOLL C. A. (Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, GBR) ,  RITCHIE D. A. (Dep. of Physics, Univ. of Cambridge, JJ Thomson Avenue, Cambridge, CB3 0HE, GBR) ,  MORAM M. A. (Dep. of Materials, Imperial Coll. London, Exhibition Road, London, SW7 2AZ, GBR)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 12  ページ： 2837-2842  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属の豊富な条件で分子線エピタキシーを使用して0≦x≦0.50のエピタキシャルSc_xGa_1-xN薄膜を成長させた。Sc_xGa_1-xN成長率は,金属の豊富な成長条件の使用にもかかわらず,Scフラックスを増やすことで上昇した。これはScの存在によって誘発されるN₂の分解促進に起因する。ミクロ構造解析は,純粋相ウルツ鉱Sc_xGa_1-xNがx = 0.26まで達成されることを示した。これは以前報告された窒素豊富条件より,かなり高い。金属豊富条件の使用がウルツ鉱相Sc_xGa_1-xNを安定化させるのを助けることを示した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： MBE成長 ,  *スカンジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *薄膜 ,  微細構造 ,  成長 ,  フラックス【流束】 ,  ウルツ鉱型結晶

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタキシー ,  成長 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  成長条件