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J-GLOBAL ID：201502217325612877   整理番号：15A0958618

階層構造m-平面のGaNナノプリズム光エキストラクタを用いた高性能の発光ダイオード

High-performance light-emitting diodes using hierarchical m-plane GaN nano-prism light extractors

著者 (5件)： M. Siva Pratap Reddy (Dep. of Electronic Engineering, LED-IT Fusion Technol. and Res. Center (LIFTRC), Yeungnam Univ., Gyeongbuk 712-749 ...) ,  PARK Herie ,  KIM Se-Min ,  JANG Seon-Ho ,  JANG Ja-Soon
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 34  ページ： 8873-8880  発行年： 2015年09月14日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)ベースの結晶エッチング法を用いることで,n-GaNメサ側壁上に階層構造m平面のナノプリズム光エキストラクタを搭載した高性能のGaNベースの発光ダイオード(LED)を提示した。結晶エッチング法により,光エキストラクタとしての化学的な安定な階層構造m平面ナノプリズムが生成し,p-GaN表面近くのp-キャリアおよびp-GaN表面上のネイティブ酸化物の効果的な除去を増加させた。これらの成績により,p-GaN層とITO電極との間のp-オーム接触特性が大幅に改善し,デバイス性能特性が優秀となり,効率的減衰を改善し,デバイス寿命が長くなった。デバイス性能やp-オーム接触データに基づき,階層的m平面ナノプリズム構造は,高効率の光子-抽出,強力な充填効果,p-GaNからn-GaNへの側壁に沿ったリーク電流の強力な抑制および/または,量子井戸領域を横断する圧電場の部分的な放出を示す多機能性因子として作用した。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *階層構造 ,  平面 ,  ナノ構造 ,  *プリズム ,  結晶成長 ,  *抽出装置 ,  *発光ダイオード ,  *第四アンモニウム ,  誘導結合プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  メサ構造 ,  側壁 ,  陽子 ,  キャリア ,  電極 ,  Ohm接触 ,  固体素子 ,  寿命 ,  光子 ,  抽出 ,  充填 ,  漏れ電流 ,  量子井戸 ,  圧電気 ,  六方晶系 ,  原子間力顕微鏡 ,  X線光電子スペクトル ,  電流電圧特性 ,  電界放出 ,  走査電子顕微鏡 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： ITO電極 ,  *エキストラクタ ,  ナノプリズム ,  プロトン ,  リーク電流

分類 (5件)： 発光素子  (NC03082G) ,  電気化学一般  (CB07010N) ,  塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

物質索引 (1件)： テトラメチルアンモニウムヒドロキシド

タイトルに関連する用語 (6件)： 階層構造 ,  GaN ,  ナノプリズム ,  エキストラクタ ,  高性能 ,  発光ダイオード