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J-GLOBAL ID：201502217328265230   整理番号：15A1040834

65nmCMOS技術における完全集積化26dBm線形化RF電力増幅器

A Fully Integrated 26 dBm Linearized RF Power Amplifier in 65 nm CMOS Technology

著者 (4件)： AHMAD Waqas (Lund Univ., Lund, SWE) ,  XU Leijun (Jiangsu Univ., Zhenjiang, CHN) ,  TOERMAENEN Markus (Lund Univ., Lund, SWE) ,  SJOELAND Henrik (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： IEEE International Symposium on Circuits and Systems  (IEEE International Symposium on Circuits and Systems)
巻： 2015 Vol.3  ページ： 1306-1309  発行年： 2015年 
JST資料番号： A0757A  ISSN： 0271-4302  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *線形増幅器 ,  *電力増幅器 ,  *高周波増幅器 ,  結合器 ,  駆動回路 ,  半導体チップ ,  インピーダンス変換器 ,  動作 ,  変調歪 ,  電気測定 ,  電力付加効率 ,  *広帯域CDMA
準シソーラス用語： 電力結合器 ,  AB級 ,  C級 ,  相互変調歪 ,  ACLR ,  電力測定

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 集積化 ,  線形化 ,  RF ,  電力増幅器