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J-GLOBAL ID：201502217434161176   整理番号：15A1284219

GaAs_1-xN_x気相エピタキシーに向けた模型としてのAs₂,H₂およびN₂によるGaAs(100)表面安定性のab initio研究

Ab initio study of GaAs(100) surface stability over As₂, H₂ and N₂ as a model for vapor-phase epitaxy of GaAs 1 - x N x

著者 (3件)： VALENCIA Hubert (Res. Inst. for Applied Mechanics (RIAM), Kyushu Univ., 6-1, Kasuga-Koen, Kasuga Fukuoka 816-8580, JPN) ,  KANGAWA Yoshihiro (Res. Inst. for Applied Mechanics (RIAM), Kyushu Univ., 6-1, Kasuga-Koen, Kasuga Fukuoka 816-8580, JPN) ,  KAKIMOTO Koichi (Res. Inst. for Applied Mechanics (RIAM), Kyushu Univ., 6-1, Kasuga-Koen, Kasuga Fukuoka 816-8580, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 432  ページ： 6-14  発行年： 2015年12月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs(100)上へのGaAs_1-xN_xの気相エピタキシー(VPE)に向けた模型としてのAs₂,H₂およびN₂ガス混合での条件下で,GaAs(100)c(4×4)表面をab initio計算によって調査した。As₂とH₂の分子吸着とAs/N原子置換から構成されている単純な模型を用いて,結晶成長挙動を調査することが可能であることが明らかになり,As₂,H₂およびN₂ガスの化学ポテンシャルに逆らって生じる表面の相対的な安定性を考察した。そのような単純な模型によって,特定の成長条件と直接的に関連している各々の表面に対する温度と圧力の安定性領域を図に描くことができた。本研究の模型を用いると,さまざまな温度で実験的に観測した,さまざまなN取り込み領域を説明することが可能であり,並びに,これらの取り込み領域間の転移温度を予測することも可能であることが分かった。さらに,これらの領域の各々に対するN取り込み比率の合理的な説明も述べた。結果として,本研究の模型は,GaAs_1-xN_xの高品質なVPEを実現するのに必要である,良好な見識と実験的条件の制御をもたらすはずである。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  *ヘテロエピタクシー ,  *MOCVD ,  混合気体 ,  ab initio法 ,  *安定性 ,  *状態図 ,  水素 ,  窒素 ,  ヒ素
準シソーラス用語： *窒化ヒ化ガリウム ,  表面安定性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 気相エピタキシー ,  模型 ,  H2 ,  N2 ,  GaAs ,  安定性 ,  研究