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J-GLOBAL ID：201502217450546185   整理番号：15A1101217

0.18μm SiGe BiCMOS技術の低電力プログラマブル利得高PAE K-/Ka-帯域スタック増幅器

A Low Power Programmable Gain High PAE K-/Ka-Band Stacked Amplifier in 0.18 μm SiGe BiCMOS Technology

著者 (3件)： KUMAR Thangarasu Bharatha (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  MA Kaixue (Univ. Electronic Sci. and Technol. of China, CHN) ,  YEO Kiat Seng (Singapore Univ. Technol. and Design, Singapore)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2015 Vol.1  ページ： 283-286  発行年： 2015年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *増幅器 ,  周波数帯 ,  広帯域 ,  電力付加効率 ,  利得制御 ,  消費電力 ,  電子技術 ,  CMOS構造 ,  BiCMOS ,  半導体材料 ,  超小形回路技術

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： SiGe ,  BiCMOS ,  低電力 ,  利得 ,  PAE ,  帯域 ,  スタック ,  増幅器