文献

J-GLOBAL ID：201502217457293215   整理番号：15A1066133

Mg₂Siに錫あるいはアンチモン原子を挿入:電子的及び熱電的特性への効果

Inserting Tin or Antimony Atoms into Mg₂Si: Effect on the Electronic and Thermoelectric Properties

著者 (3件)： BALOUT H. (MADIREL, Aix-Marseille Univ. and CNRS, Avenue Normandie-Niemen, 13397, Marseille, FRA) ,  BOULET P. (MADIREL, Aix-Marseille Univ. and CNRS, Avenue Normandie-Niemen, 13397, Marseille, FRA) ,  RECORD M.-C. (IM2NP, Aix-Marseille Univ. and CNRS, Avenue Normandie-Niemen, 13397, Marseille, FRA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 44  号： 11  ページ： 4452-4464  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論およびBoltzmann輸送理論は,シリコン原子を錫で置換するあるいはMg₂Sへのアンチモン原子挿入で起きた化合物の電子及び熱電特性の制約効果の研究に使用されてきた。研究した仮説的な構造はMg₂Si_1-xSn_x,xは0.125,0.25,0.375,0.625,0.75,0.875であり,Mg₈Si₄Sb,Mg₈Si₄Sb₃,Mg₂SiSbであった。3つの予め決めた温度でのエネルギーに関して,低い及び高い電子と正孔のドーピングに対する温度に関して,輸送特性を提出した。SnのSiに対する置換の効果はMg₂Siが1軸および2軸引張り歪を受けた時に観察されるものと同様であった。全体として,熱電力率はドーピングレベルあるいは引張り歪の増加に伴って減少した。対照的に,最大の熱電力率は温度と共に増加した。温度及び電子あるいは正孔のドーピングレベルに関わらず,Sbを挿入したMg₂Si構造の電気伝導度σはMg₂Siのものよりずっと高かった。Fermiエネルギーの領域ではSbを挿入したMg₂Si構造のSeebeck係数SはMg₂Siのものより低かった。Mg₈Si₄Sb₃とMg₂SiSbに関しては電子密度が非常に小さい領域において(Fermiレベルの下約2eV),反対のことが観察された。結果として,熱電力率はSeebeck係数と同じ傾向となった。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 置換 ,  挿入 ,  *電気特性 ,  *輸送係数 ,  電気伝導率 ,  *ケイ化物 ,  *マグネシウム化合物 ,  *アンチモン ,  *スズ
準シソーラス用語： *Seebeck係数 ,  *マグネシウム・シリサイド ,  電気伝導度 ,  *熱電特性 ,  密度汎関数理論

分類 (2件)： エネルギー変換一般  (LC01010J) ,  電気的性質  (WB02010Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： 錫 ,  アンチモン原子 ,  電子