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J-GLOBAL ID：201502217501291560   整理番号：15A0886586

ブラックシリコンで応答性を高めたGe-オン-Siフォトダイオード

Ge-on-Si photodiode with black silicon boosted responsivity

著者 (8件)： STEGLICH M. (Inst. of Applied Physics, Abbe Center of Photonics, Friedrich Schiller Univ. Jena, A.-Einstein-Str. 15, 07745 Jena, DEU) ,  OEHME M. (Inst. for Semiconductor Engineering, Univ. of Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart, DEU) ,  KAESEBIER T. (Inst. of Applied Physics, Abbe Center of Photonics, Friedrich Schiller Univ. Jena, A.-Einstein-Str. 15, 07745 Jena, DEU) ,  ZILK M. (Inst. of Applied Physics, Abbe Center of Photonics, Friedrich Schiller Univ. Jena, A.-Einstein-Str. 15, 07745 Jena, DEU) ,  KOSTECKI K. (Inst. for Semiconductor Engineering, Univ. of Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart, DEU) ,  KLEY E.-b. (Inst. of Applied Physics, Abbe Center of Photonics, Friedrich Schiller Univ. Jena, A.-Einstein-Str. 15, 07745 Jena, DEU) ,  SCHULZE J. (Inst. for Semiconductor Engineering, Univ. of Stuttgart, Pfaffenwaldring 47, 70569 Stuttgart, DEU) ,  TUENNERMANN A. (Inst. of Applied Physics, Abbe Center of Photonics, Friedrich Schiller Univ. Jena, A.-Einstein-Str. 15, 07745 Jena, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 107  号： 5  ページ： 051103-051103-4  発行年： 2015年08月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ケイ素 ,  応答特性 ,  *フォトダイオード ,  ゲルマニウム ,  PINダイオード ,  *電流電圧特性 ,  *量子効率 ,  ウエハ【IC】 ,  光検出器
準シソーラス用語： Si基板 ,  ブラックシリコン ,  *外部量子効率

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： ブラックシリコン ,  応答性 ,  Ge ,  Si ,  フォトダイオード