文献

J-GLOBAL ID：201502217669287699   整理番号：15A0112579

半導体デバイスに対する宇宙放射線照射効果

著者 (1件)： 高橋芳浩 (日本大 理工)
資料名： 日本信頼性学会誌  (REAJ誌)
巻： 36  号： 8  ページ： 460-467  発行年： 2014年11月01日 
JST資料番号： L2778A  ISSN： 0919-2697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体デバイス(集積回路)は地上においては非常に高い信頼性を有するが,人工衛星などに搭載して宇宙空間で使用すると,強い宇宙放射線を受けて特性劣化や誤動作が引き起こされることがある。宇宙空間は高エネルギーの陽子線,電子線,重イオンなどが高密度に存在する劣悪な放射線環境であり,これらが半導体デバイスに照射されると,構造内で電離(電荷発生)や結晶欠陥が生じる。放射線照射により半導体デバイスが受ける影響は,半導体デバイスの材料や構造,また放射線の種類やエネルギーにより異なり,吸収線量と共に電気的特性変化が蓄積される「トータルドーズ効果」,電離能力の高い荷電粒子の入射によって発生する「シングルイベント効果」,高エネルギーの粒子線照射による結晶欠陥を起因とした「変位損傷効果」に大別される。本稿では基礎的な放射線と物質との相互作用について示した後,放射線により半導体デバイスが受ける具体的な現象,および耐放射線性強化に関する研究例を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *宇宙線 ,  *放射線照射 ,  *放射線効果 ,  吸収線量 ,  荷電粒子 ,  格子欠陥 ,  照射損傷 ,  SEU【シングルイベント】 ,  ソフトエラー ,  ラッチアップ ,  相互作用 ,  耐放射線性 ,  宇宙空間 ,  イオン化 ,  線エネルギー付与 ,  宇宙環境 ,  酸化膜 ,  電荷 ,  収集
準シソーラス用語： 高エネルギー粒子 ,  BOX

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

引用文献 (21件)：

• J.R. Schwank : Basic Mechanisms of Radiation Effects in the Natural Space Environment, 1994 IEEE NSREC Short Course (1994)
• https://creme.isde.vanderbilt.edu/
• G.P. Summews : Displacement Damage: Mechanisms and Measurements, 1992 IEEE NSREC Short Course (1992)
• J.R. Schwank : Total Dose Effects in MOS Devices, 2002 IEEE NSREC Short Course (2002)
• J.R. Cricchi and D.F. Barde : Compensation of Radiation Effects by Charge Transport in Metal-Nitride-Oxide-Semiconductor Structures, Applied Physics Letters, Vol.19, No.3, pp.49-51(1971)

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体デバイス ,  宇宙放射線 ,  照射効果