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J-GLOBAL ID：201502217916169573   整理番号：15A1261691

Siドープ酸化ガリウム厚膜のHVPEホモエピタキシャル成長

著者 (15件)： 野村一城 (東京農工大 大学院) ,  後藤健 (東京農工大 大学院) ,  後藤健 (タムラ製作所) ,  佐々木公平 (タムラ製作所) ,  佐々木公平 (情通機構) ,  THIEU Quang Tu (東京農工大 GIRO) ,  富樫理恵 (東京農工大 大学院) ,  村上尚 (東京農工大 大学院) ,  東脇正高 (情通機構) ,  倉又朗人 (タムラ製作所) ,  山腰茂伸 (タムラ製作所) ,  BO Monemar (東京農工大 GIRO) ,  BO Monemar (Linkoeping Univ.) ,  纐纈明伯 (東京農工大 大学院) ,  熊谷義直 (東京農工大 大学院)
資料名： 結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM)  (JCCG予稿集(CD-ROM))
巻： 45th  ページ： ROMBUNNO.19PB08  発行年： 2015年10月19日 
JST資料番号： L6730B  ISSN： 2188-7268  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  *厚膜 ,  *エピタクシー ,  化合物半導体 ,  キャリア密度 ,  移動度 ,  酸化物半導体
準シソーラス用語： HVPE【薄膜成長】 ,  *エピタキシャル成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ドープ ,  酸化ガリウム ,  厚膜 ,  HVPE ,  ホモ ,  エピタキシャル成長