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J-GLOBAL ID：201502218018526412   整理番号：15A1235906

高In組成チャネルを持つ0.15μm Yゲート低雑音GaAs PHEMT【Powered by NICT】

0.15 μm Y-gate Low Noise GaAs PHEMT with High In-content Channel

著者 (4件)： Han Kefeng (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing) ,  Huang Nianning (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing) ,  Wu Shaobing (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing) ,  Qin Guixia (Nanjing Electronic Devices Inst., Nanjing)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 35  号： 3  ページ： 236-240  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： GaAs PHEMT低雑音デバイスを設計し,電子ビームリソグラフィーによって達成された0.15ミクロンY字ゲート。ゲート抵抗と寄生容量はデバイスのゲート形状を最適化することにより低減した。チャネル電子輸送特性を,高In組成チャネル層を採用することにより改善し,Ohm接触特性をInGaAs/GaAs複合キャップ層を用いることによって改善された。これら4×50μmに基づいてGaAs PHEMTデバイスは低雑音製造プロセスで得られた。マイクロ波測定はそのf_Tは80GHzであり,騒音測定と解析は,10GHzでデバイスは0.4dB以下のNF(分),0.15μmゲート長GaAs PHEMTデバイス用の優れた結果を示すことを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漂遊容量 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  最適化 ,  *チャネル ,  生産工程 ,  電子ビームリソグラフィー ,  Ohm接触 ,  *ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： ゲート長 ,  キャップ層 ,  輸送特性 ,  *PHEMT ,  *低雑音 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 組成 ,  チャネル ,  ゲート ,  低雑音 ,  GaAs ,  PHEMT