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J-GLOBAL ID：201502218401528780   整理番号：15A1172213

CdTe量子ドット/p-Siヘテロ接合の電気伝導機構

Electrical conduction mechanisms of CdTe quantum dots/p-si heterojunction

著者 (4件)： EL-NAHASS M.M. (Physics Dep., Fac. of Education, Ain Shams Univ., Roxy, P.O. 11757, Cairo, Egypt) ,  YOUSSEF G.M. (Physics Dep., Fac. of Sci., Ain Shams Univ., Abbassia, P.O. 11566, Cairo, Egypt) ,  GAD S.A. (Solid State Physics Dep., National Res. Centre, 33 El Bohouth St. (former El Tahrir st.), Dokki, P.O.12622, Giza, Egypt) ,  NOBY Sohaila Z. (Solid State Physics Dep., National Res. Centre, 33 El Bohouth St. (former El Tahrir st.), Dokki, P.O.12622, Giza, Egypt)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 40  ページ： 337-343  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸着技術を用いて,CdTe量子ドット(QD)をp-Si基板上に調製する。Au/CdTe QD/p-Si/Alヘテロ接合の電流-電圧(I-V)特性を304-368Kの温度範囲で測定する。その結果,デバイスは,整流比が±1.5Vで275の整流挙動を持つことが分かる。ヘテロ接合の電気伝導機構を決定する。順方向電圧が<0.3Vでは,熱電子放出が,主要な機構となり,この電圧範囲では,障壁高さ及び理想係数を推定できる。順方向電圧が0.5V<V<0.9Vの範囲では,伝導機構は,指数トラップ分布によって支配される空間電荷制限伝導(SCLC)になる。電圧が0.5V<V<0.9Vの範囲では,トラップ状態密度の合計を計算する。順方向電圧が0.95V<V<1.5Vでは,Poole-Frenkel伝導機構が,実験データとよく適合する。ゼロ場で0.16と0.46eVの活性化エネルギーを持つ2つのトラップ準位が存在することが分かる。逆方向電圧では,逆電流の主な源は,薄膜自体の界面を介してというよりはp-Siを通した生成再結合であることが分かる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ダイオード ,  *ヘテロ接合 ,  *電気伝導 ,  量子ドット ,  テルル化カドミウム ,  ケイ素 ,  電流電圧特性 ,  熱電子放出 ,  空間電荷制限電流 ,  Poole-Frenkel効果

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： CdTe量子ドット ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  電気伝導