文献

J-GLOBAL ID：201502218476130498   整理番号：15A0922309

高温ゲートリセス技術により製作した高RF性能エンハンスメントモードAl₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTs

High RF Performance Enhancement-Mode Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated With High-Temperature Gate-Recess Technique

著者 (16件)： HUANG Sen (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Xinyu (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Jinhan (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WEI Ke (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Guoguo (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Xinhua (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHENG Yingkui (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Honggang (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  JIN Zhi (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHAO Chao (Inst. Microelectronics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Cheng (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LIU Shenghou (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  YANG Shu (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  ZHANG Jincheng (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  HAO Yue (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  CHEN Kevin J. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 8  ページ： 754-756  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エンハンスメントモードAl₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTsは,パワースイッチング用だけでなくRF,マイクロ波回路やディジタル制御回路用として非常に好まれている。ゲートリセス法はRFアプリケーション用や低ゲート漏れ電流のための高い相互コンダクタンスの利点がある。本研究では,高温ゲートリセス技術を使ってこのデバイスを製作した。ドライエッチング中,基板温度を180°Cとして塩素系エッチング残さの脱着を強化した。Al₂O₃ゲート誘電膜はO₃を酸素源として原子層蒸着により成長させた。4GHzで高い出力と電力付加効率の優れたRF性能を示した。出力電力密度5.76W/mmの高い性能を示した。

シソーラス用語： *モード ,  素子構造 ,  ゲート【半導体】 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  MIS構造 ,  *HEMT ,  相互コンダクタンス ,  漏れ電流 ,  化学蒸着 ,  エネルギー密度 ,  電力付加効率
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  *エンハンスメントモード ,  ゲート漏れ電流 ,  リセス構造 ,  原子層蒸着 ,  電力密度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲート ,  製作 ,  RF ,  エンハンスメントモード ,  Al2O3 ,  AlGaN ,  GaN ,  MIS