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J-GLOBAL ID：201502218585381042   整理番号：15A0886672

メタライゼーションアニール後の金属/Al₂O₃/InGaAsゲートスタックのFermi準位ピン止め

Fermi level pinning in metal/Al₂O₃/InGaAs gate stack after post metallization annealing

著者 (7件)： WINTER R. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  KRYLOV I. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  CYTERMANN C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR) ,  TANG K. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  AHN J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  MCINTYRE P. C. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  EIZENBERG M. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Technion-Israel Inst. of Technol., Haifa 32000, ISR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 118  号： 5  ページ： 055302-055302-5  発行年： 2015年08月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： メタライゼーション ,  *焼なまし ,  *金属 ,  *アルミナ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *Fermi準位 ,  仕事関数 ,  アルミニウム ,  金 ,  白金 ,  電圧 ,  熱処理 ,  インジウム ,  ガリウム ,  帯電 ,  キャリア捕獲 ,  界面 ,  MOS構造 ,  容量電圧特性 ,  電気測定 ,  二次イオン質量分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *ピン止め
準シソーラス用語： TOF-SIMS ,  インピーダンス測定 ,  ゲートスタック ,  トップゲート構造 ,  フラットバンド電圧 ,  真空熱処理

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： メタライゼーション ,  アニール ,  Al2O3 ,  InGaAs ,  ゲートスタック ,  Fermi準位 ,  ピン止め