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J-GLOBAL ID：201502218631623714   整理番号：15A1156953

NTD-Si製造技術に係るシリコンインゴット試料の照射試験

Irradiation Test with Silicon Ingot for NTD-Si Irradiation Technology

著者 (14件)： TAKEMOTO Noriyuki (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki-ken) ,  ROMANOVA Nataliya (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki-ken) ,  ROMANOVA Nataliya (Inst. of Nuclear Physics, KAZ) ,  KIMURA Nobuaki (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki-ken) ,  GIZATULIN Shamil (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki-ken) ,  GIZATULIN Shamil (Inst. of Nuclear Physics, KAZ) ,  SAITO Takashi (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki-ken) ,  MARTYUSHOV Alexandr (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki-ken) ,  MARTYUSHOV Alexandr (Inst. of Nuclear Physics, KAZ) ,  NAKIPOV Darkhan (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki-ken) ,  NAKIPOV Darkhan (Inst. of Nuclear Physics, KAZ) ,  TSUCHIYA Kunihiko (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki-ken) ,  CHAKROV Petr (Japan Atomic Energy Agency, Ibaraki-ken) ,  CHAKROV Petr (Inst. of Nuclear Physics, KAZ)
資料名： 日本原子力研究開発機構JAEA-Technology(Web)
号： 2015-021  ページ： WEB ONLY  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： U0305A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 日本原子力研究開発機構照射試験炉センターでは,産業利用拡大の観点からJMTRを活用した中性子核変換ドーピング(Neutron Transmutation Doping:NTD)法によるシリコン半導体製造を検討している。この検討の一環として,カザフスタン共和国核物理研究所(INP)との原子力科学分野における研究開発協力のための実施取決め(試験研究炉に関する原子力技術)のもとで,INPが有するWWR-K炉を用いたシリコンインゴット試料の照射試験を行うこととした。最初に,シリコン回転装置を製作してWWR-K炉に設置するとともに,シリコンインゴット試料の照射位置における中性子照射場の評価を行うため,フルエンスモニタを用いた予備照射試験を行った。次に,予備照射試験結果に基づき,2本のシリコンインゴット試料の照射試験を行うとともに,照射後の試料の抵抗率等を測定し,試験研究炉を用いた高品位シリコン半導体製造の商用生産への適用性について評価を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *ドーピング ,  *核変換 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  照射試験 ,  インゴット ,  照射用原子炉 ,  中性子フルエンス ,  中性子照射 ,  放射線モニタ ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： JMTR ,  JMTR原子炉 ,  WWR-K原子炉 ,  *核変換ドーピング ,  中性子核変換 ,  中性子核変換ドーピング

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (16件)：

• Working Group for NTD Technology: “Expansion of Neutron-Transmutation-Doped Silicon (NTD-Si) Semiconductor Productivity using Research Reactors (JRR-3, JRR-4, and JMTR)”, JAEA-Review 2005-006, (2006), 56p. [in Japanese]
• C. H. Carter et al. : “Current Status of Large Diameter, Low Defect SiC Boule Growth”, Future Electron Device Journal Vol.11 No.2, pp.7-10 (2000).
• J. Hosokawa et al. : “Conceptual Study of Silicon Semiconductor Production Facility in JMTR”, JAEA-Technology 2008-038, (2008), 24p. [in Japanese]
• Department of JMTR Project: “ JMTR Irradiation Handbook”, JAERI-M 94-023, (1994). [in Japanese]
• P. Chakrov et al. : “WWR-K Research Reactor -Status and Future Plans”, Proceedings of the International Symposium on Materials Testing Reactors, JAEA-Conf 2008-011, pp.35-41 (2008).

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  シリコン ,  インゴット ,  試料 ,  照射試験