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J-GLOBAL ID：201502218813102183   整理番号：15A0886211

P(VDF-TrFE)とアモルファス酸化物トランジスタを用いたフレキシブル不揮発性再アドレス可能メモリの大規模集積化

Large scale integration of flexible non-volatile, re-addressable memories using P(VDF-TrFE) and amorphous oxide transistors

著者 (5件)： GELINCK Gerwin H (Holst Centre/TNO, Eindhoven, NLD) ,  GELINCK Gerwin H (Eindhoven Univ. Technol., Eindhoven, NLD) ,  COBB Brian (Holst Centre/TNO, Eindhoven, NLD) ,  VAN BREEMEN Albert J J M (Holst Centre/TNO, Eindhoven, NLD) ,  MYNY Kris (IMEC, Leuven, BEL)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 30  号： 7  ページ： 074003,1-7  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,  トランジスタ ,  *半導体メモリ ,  *不揮発性メモリ ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  薄膜トランジスタ ,  強誘電体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *LSI【IC】 ,  *フッ化ビニリデン-トリフルオロエチレン共重合体 ,  *リン化合物
準シソーラス用語： *FeFET ,  *IGZO【半導体】 ,  TFT【トランジスタ】 ,  *VDF-TrFE ,  アモルファス半導体 ,  大規模集積回路

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： VDF-TrFE ,  アモルファス ,  酸化物 ,  トランジスタ ,  不揮発性 ,  アドレス ,  大規模集積化