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J-GLOBAL ID：201502219549268228   整理番号：15A1089584

暗視野電子線ホログラフィーによるサブ10nm SiGe層の2D歪測定

2D strain measurement in sub-10 nm SiGe layer with dark-field electron holography

著者 (9件)： HOANG Van Vuong (Dep. of Measurement & Analysis, National Nanofab Center, Daejeon 305-806, KOR) ,  HOANG Van Vuong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chungnam National Univ., Daejeon 305-764, KOR) ,  CHO Young Ji (Dep. of Measurement & Analysis, National Nanofab Center, Daejeon 305-806, KOR) ,  YOO Jung Ho (Dep. of Measurement & Analysis, National Nanofab Center, Daejeon 305-806, KOR) ,  YANG Jun-Mo (Dep. of Measurement & Analysis, National Nanofab Center, Daejeon 305-806, KOR) ,  CHOI Sungha (FC R&D Team, Eugene Technol. Co., Ltd, Yongin, Gyeonggi 449-824, KOR) ,  JUNG Wooduck (FC R&D Team, Eugene Technol. Co., Ltd, Yongin, Gyeonggi 449-824, KOR) ,  CHOI Yong Ho (Dep. of High-Tech Materials Engineering, Jungwon Univ., Goesan, Chungbuk 367-805, KOR) ,  HONG Soon-Ku (Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chungnam National Univ., Daejeon 305-764, KOR)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 15  号： 11  ページ： 1529-1533  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,10nm未満のSiGe層の2次元(2D)歪の測定を行った。画像は暗視野電子線ホログラフィー(DFEH)によって取得した。この技術は,透過型電子顕微鏡法(TEM)を基にしている。そこでは,暗視野ホログラムを,(400)面反射スポットにより取得する。非常に薄いSiGe層の歪値と歪の深さ分布についての測定結果をX線回折(XRD)結果と比較した。続いて,ナノスケールSiGe領域の[100]成長方向に沿った2D歪マップを成功裏に解析できた。歪を分析し,それが1.8%~2.4%の範囲にあることがわかった。歪精度は,2.5×10^-3と評価した。結果として,DFEH技術は,ナノメータ分解能と高い精度により,非常に薄いSiGe層の2Dマップの測定に真に有効であるとことがわかる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 視野 ,  *ホログラフィー ,  単位 ,  *半導体材料 ,  半導体薄膜 ,  二次元 ,  歪 ,  電子顕微鏡観察 ,  反射 ,  深さ分布 ,  精度 ,  分解能 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  *歪測定
準シソーラス用語： *SiGe ,  暗視野 ,  *電子線ホログラフィー ,  透過型電子顕微鏡法

分類 (2件)： その他のホログラフィー  (BD03073D) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 暗視野 ,  電子線ホログラフィー ,  サブ ,  SiGe ,  2D ,  歪測定