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J-GLOBAL ID：201502219550038686   整理番号：15A1343923

ALD Zn(O,S)緩衝層の局所電子構造と幾何学的配置のX線吸収分光法を利用する探索

Exploring the local electronic structure and geometric arrangement of ALD Zn(O,S) buffer layers using X-ray absorption spectroscopy

著者 (9件)： DADLANI Anup L. (Dep. of Chemistry, Stanford Univ., Stanford, CA 94305, USA) ,  TREJO Orlando ,  ACHARYA Shinjita ,  TORGERSEN Jan ,  PETOUSIS Ioannis ,  NORDLUND Dennis ,  SARANGI Ritimukta ,  SCHINDLER Peter ,  PRINZ Fritz B.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 47  ページ： 12192-12198  発行年： 2015年12月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 緩衝層としてのオキシ硫化亜鉛(Zn(O,S))薄膜の増大する関心は,太陽電池中で実現されるより大きな効率によって動機付けられてきた。本研究で筆者らは,原子層堆積(ALD)によって成長した種々の組成のZn(O,S)の電子状態と構造の関係を報告する。局所結合の高感度分光手段であるX線吸収端近傍構造(XANES)と量子シミュレーションが,膜の原子構造と非占有状態密度(DOS)との関係付けを支援する。ZnOマトリックスへの硫黄の侵入が,S 3p-Zn 4sp-O 2p混成軌道の形成をOと硫黄のK端に両方の近吸収端X線吸収微細構造(NEXAFS)領域中でもたらす。硫黄の侵入量が,Znのイオン性に影響し,構造内のZn-Oの結合長とその結果としてのバンドギャップを変える。Zn(O,S)の電子状態と構造の相互作用は,その緩衝層の性能の予測,テーラリング及び最適化を可能にする。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *亜鉛化合物 ,  *硫化物 ,  *酸化物 ,  *バッファ層 ,  *太陽電池 ,  電子構造 ,  XANES ,  シミュレーション ,  単原子層 ,  バンドギャップ ,  X線吸収分光法 ,  結晶構造
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  *薄膜太陽電池 ,  量子シミュレーション

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の結晶構造  (BK07030J)

タイトルに関連する用語 (7件)： ALD ,  Zn ,  緩衝層 ,  電子構造 ,  幾何学 ,  X線吸収分光法 ,  探索