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J-GLOBAL ID：201502220086138158   整理番号：15A0922333

Si高電子移動度トランジスタのCドープAlGaN/GaN中の電場低減

Electric Field Reduction in C-Doped AlGaN/GaN on Si High Electron Mobility Transistors

著者 (6件)： UREN Michael J. (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  CAESAR Markus (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  KARBOYAN Serge (Univ. Bristol, Bristol, GBR) ,  MOENS Peter (ON Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  VANMEERBEEK Piet (ON Semiconductor, Oudenaarde, BEL) ,  KUBALL Martin (Univ. Bristol, Bristol, GBR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 8  ページ： 826-828  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMTs)において,高いブレークダウン電圧化するため炭素(C)ドーピングが有効である。しかし,Cドーピングにより電流コラプス(CC)が生じる。本稿では,GaNオンSiパワースイッチングCドープAlGaN/GaNトランジスタにおいて,バッファ層にトラップされた電荷はCCの原因となるが,CドープGaN中の表面電場低減(RESURF)効果の存在により横方向ブレークダウン電圧が増加することを示した。

シソーラス用語： *HEMT ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  電圧 ,  電流電圧特性 ,  バッファ層 ,  表面電位 ,  *ドーピング ,  炭素
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  GaN ,  RESURF ,  ブレークダウン電圧 ,  高電子移動度トランジスタ ,  *炭素ドーピング ,  電流コラプス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  高電子移動度トランジスタ ,  ドープ ,  AlGaN ,  GaN ,  電場低減