文献

J-GLOBAL ID：201502220100718692   整理番号：15A0208886

SU-8レジスト薄膜の誘電率の周波数分散

Frequency Dispersion of Permittivity of SU-8 Resist Thin Film

著者 (2件)： KAWAI Akira (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  OHTANI Shogo (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 27  号： 6  ページ： 711-712  発行年： 2014年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100,150,200及び250°Cで焼付けたSU-8(3050)レジスト膜の誘電率を,周波数範囲100Hzから5MHzで典型的キャパシタンス法により評価した。誘電率は周波数範囲で相対的に一定であったが,焼付け温度依存性を少し確認した。レジスト膜の誘電正接は0.03まで徐々に増加したが,相対的に低かった。レジスト材料の典型的誘電特性を実験で確認した。このことは電子デバイス構成材料としてのレジスト材料の適用可能性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電率 ,  *フォトレジスト ,  電気測定 ,  *分散【dispersion】 ,  誘電正接 ,  誘電性 ,  薄膜 ,  温度依存性 ,  固体素子 ,  材料
準シソーラス用語： *SU-8 ,  キャパシタンス計測 ,  レジスト材料 ,  *周波数分散 ,  電子デバイス

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (5件)：

• 1. H. Sasazaki, A. Kawai. J. Photopolym, Sci. Technol. 22 (2009) 317.
• 2. M. Yamada, A. Kawai. J. Photopolym, Sci. Technol.24 (2011) 647.
• 3. K. F. Lei, M. H. Wu, C. W. Hsu, Yi Chen. Biosensors and Bioelectronics, 51 (2014) 16.
• 4. C. J. Chen, J. T. Liu, S. Chang, M. W. Lee, J. Tsai. Taiwan Institute of Chemical Engineers, 43 (2012) 678.
• 5. Z. Zou, J. Kai, M. J. Rust, J. Han, C. H. Ahn. Sensors and Actors A, 136 (2007) 518.

タイトルに関連する用語 (4件)： SU-8 ,  レジスト薄膜 ,  誘電率 ,  周波数分散