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J-GLOBAL ID：201502220190514587   整理番号：15A1140930

完全に空乏化したSOI膜に対する蓄積モードでの電子移動度の密度依存性

Density dependence of electron mobility in the accumulation mode for fully depleted SOI films

著者 (5件)： NAUMOVA O. V. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  ZAITSEVA E. G. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  FOMIN B. I. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  ILNITSKY M. A. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS) ,  POPOV V. P. (Russian Acad. of Sciences, Rzhanov Inst. of Semiconductor Physics, Siberian Branch, 630090, Novosibirsk, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 10  ページ： 1316-1322  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蓄積モードでの電子移動度μ_effを部分的および完全空乏化二重ゲートn⁺-n-n^-SOI構造MOSFETについて調べた。薄膜構造中の移動度の値の取り得る範囲と散乱機構の決定のために移動度μ_eff電場依存性を誘起電荷キャリアの密度N_eで置き換えられると仮定した。μ_eff(N_e)依存性はべき関数μ_eff(N_e)∝N_e^-nで近似できるがここで指数nは移動度の電場依存性の場合と同じくキャリア散乱機構で決まる。関数μ_eff(N_e)の指数nの値はSOI膜がそのいずれかの面近くで反転から蓄積モードへと変わる際に決める。得た結果はSOI膜の厚みに亘る電子密度再分布と電子散乱機構の変化の視点から説明した。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 空乏層 ,  *SOI構造 ,  モード ,  *キャリア移動度 ,  *密度依存性 ,  *MOSFET ,  薄膜 ,  依存性 ,  *キャリア密度 ,  機構 ,  再分布
準シソーラス用語： 散乱機構 ,  蓄積モード ,  *電子移動度 ,  電場依存性

分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： SOI ,  蓄積モード ,  電子移動度 ,  密度依存性