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J-GLOBAL ID:201502220390772262   整理番号:15A1079246

改良型パルスレーザ蒸着法による5インチ直径Siウエハ上のBi3.15Nd0.85Ti3O12強誘電体薄膜の蒸着

Deposition of Bi3.15Nd0.85Ti3O12 ferroelectric thin films on 5-inch diameter Si wafers by a modified pulsed laser deposition method
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巻: 591  号: PA  ページ: 126-130  発行年: 2015年09月30日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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2つのレーザ走査速度と6インチ直径ターゲットを持つ改良型パルスレーザ蒸着法により,Siウエハ上に5インチ直径Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)強誘電体薄膜を作成した。膜厚分布についての研究から,大径ターゲットとともにレーザ走査技術を用いることにより,膜厚の均一性を改善できることを明らかにした。特に,大径ターゲットの周辺部をアブレーションするレーザ走査速度を合理的に設定することは,厚さ分布のエッジ偏差を弱くすることに顕著な効果をもたらす。そのような現象を,ターゲット上のレーザ光のアブレーション追跡に対するシミュレーション結果により基本的に説明した。レーザ走査速度を最適化することを通じて,5インチ直径Siウエハ上均一な厚さを持つBNT薄膜が得られ,膜厚の最大変位は±2.5%以下となった。X線光電子分光とX線回折の結果から,作成した5インチBNT薄膜の化学量論性と結晶度は,非常に均一であることがわかった。さらに,電気的性質の測定から,作成したBNT薄膜は,良好な強誘電的性質とI-V特性を示すことがわかった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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