文献

J-GLOBAL ID：201502220518737449   整理番号：15A1184795

非密接実装ポリスチレン球による大面積ナノパターニングおよび縦型トランジスタアレイの作製

Large-Area Nano-patterning and Fabrication of Vertical Transistor Array by Non-close-packed Polystyrene Spheres

著者 (7件)： CHEN Yen-Ming (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  LAI Yu-Yen (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHAO Yu-Chiang (Chung Yuan Christian Univ., Chung-Li, TWN) ,  ZAN Hsiao-Wen (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  MENG Hsin-Fei (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HORNG Sheng-Fu (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHANG Che-Hao (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 34  ページ： 18899-18903  発行年： 2015年09月02日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,非最密充填ポリスチレン(PS)球層を大面積基板上に形成し,大面積ナノパターニングを実現する。まず,大型ブレードコーターによって非最密充填PS球を水平基板に形成し,次いで,煮沸IPAに垂直浸漬した後,熱風乾燥を行う手法を適用し,剛性ガラス基板上で25×18cm,可撓性PET基板上で10×10cmの面積に非密接実装PS球層を均一に製作した。本手法を用いて,剛性ITO基板上に,ポリ-4-ビニルフェノール(PVP)の100nmのナノスケールパターニングが形成できることを実証した。さらに,縦型有機トランジスタとして高分子空間電荷制限トランジスタ(SCLT)を製作して,特性を調査した結果,本稿のSLCTは電流出力密度が5mA/cm²,オンオフ電流比が1×10³~1×10⁴であった。以上のように,非密接実装PS球層が大面積縦型有機トランジスタの大量生産に適することが実証できた。

シソーラス用語： 面積 ,  *ナノメータ加工 ,  *パターン形成 ,  縦型 ,  トランジスタ ,  アレイ回路 ,  高分子半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *有機半導体 ,  *リソグラフィー ,  *ミクロスフェア ,  空間電荷制限電流 ,  電流密度 ,  *ポリスチレン ,  被覆 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  フレキシブル基板
準シソーラス用語： 大面積 ,  高分子トランジスタ ,  有機トランジスタ ,  ナノスフィアリソグラフィー ,  ブレードコーティング ,  ガラス基板

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 実装 ,  ポリスチレン ,  大面積 ,  ナノパターニング ,  縦型 ,  トランジスタ ,  アレイ ,  作製