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J-GLOBAL ID：201502220812021141   整理番号：15A0841889

マグネトロンスパッタリングで作ったMnドープZnO薄膜における室温の強磁性

Room temperature ferromagnetism in magnetron sputtering prepared Mn-doped ZnO thin films

著者 (5件)： ZHANG Yu (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  OKAMOTO Junpei (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  NASU Naho (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  ZHAO Xinwei (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  ZHAO Xinwei (Tianjin Univ. Technol. and Education, Tianjin, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 6S1  ページ： 06FJ08.1-06FJ08.3  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温の強磁性が無線周波数マグネトロンスパッタリングを使ったMnドープZnO薄膜で観察された。X線回折測定は試料がウルツ鉱型構造を持ち,第二相が無いことを示す。300°Cで堆積させ,500°CでO₂中でアニールしたMnドープZnO薄膜の磁化ループが300Kで測定され,強磁性挙動を示す。著者等の研究では,結果は,MnドープZnO薄膜の中で強磁性秩序を作るのは置換Mn²⁺イオンであることを示す。強磁性秩序は酸素空格子点の濃度が高いと弱くなる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  強磁性半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *磁性薄膜 ,  X線回折 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  焼なまし ,  磁気秩序 ,  空格子点 ,  磁化特性 ,  X線光電子スペクトル ,  *ドーピング ,  *マンガン
準シソーラス用語： 強磁性秩序 ,  酸素空格子点

分類 (2件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (32件)：

• F. Pan, C. Song, X. J. Liu, Y. C. Yang, and F. Zeng, Mater. Sci. Eng. R 62, 1 (2008).
• T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
• K. Sato and H. Yoshida, Semicond. Sci. Technol. 17, 367 (2002).
• S. C. Wi, J. S. Kang, and J. H. Kim, Appl. Phys. Lett. 84, 4233 (2004).
• J. M. D. Coey, M. Venkatesan, and C. B. Fitzgerald, Nat. Mater. 4, 173 (2005).

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロンスパッタリング ,  Mn ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  室温 ,  強磁性