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J-GLOBAL ID：201502220846772502   整理番号：15A1310231

抵抗スイッチングメモリにおける雑音誘起抵抗拡がり 第1部:固有セルの振舞い

Noise-Induced Resistance Broadening in Resistive Switching Memory-Part I: Intrinsic Cell Behavior

著者 (6件)： AMBROGIO Stefano (Politecnico di Milano, Milan, ITA) ,  BALATTI Simone (Politecnico di Milano, Milan, ITA) ,  MCCAFFREY Vincent (Adesto Technol., CA, USA) ,  MCCAFFREY Vincent (Maxim Integrated, CA, USA) ,  WANG Daniel C. (Adesto Technol., CA, USA) ,  IELMINI Daniele (Politecnico di Milano, Milan, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 11  ページ： 3805-3811  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗スイッチングメモリ(RRAM)信頼性の未解決課題として,確率的スイッチング可変性と1/f雑音やランダム電信雑音(RTN)などの低周波数電流変動には対応と制御が必要である。本論文は,RRAM素子における低周波数雑音を,電流変動の主要因である1/f雑音とRTNに対する電流変動の寄与の研究により取り上げた。一トランジスタ/一抵抗構造のRRAM素子を実験し,時間経過による電流と抵抗分布の拡がりは,分布拡がりと雑音確率密度関数間の関係に対する解析モデルにより予測できることを示した。1/f雑音とRTNの解析モデルを示し,データとモンテカルロシミュレーションにより確認した。RRAMの低抵抗状態と高抵抗状態における1/f雑音の抵抗依存性を,三次元有限要素法により計算し,多重欠陥変動として説明した。

シソーラス用語： 記憶装置 ,  *電流変動 ,  可動域 ,  低周波雑音 ,  *1/f雑音 ,  確率分布 ,  確率密度関数 ,  解析モデル ,  信頼性 ,  変化 ,  電気抵抗 ,  有限要素法 ,  *記憶素子 ,  フィラメント ,  表面欠陥 ,  モンテカルロ法 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： 広がり ,  三次元有限要素法 ,  信頼性モデル ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  抵抗変化 ,  *電信雑音 ,  導電性フィラメント

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 抵抗スイッチングメモリ ,  雑音 ,  誘起 ,  拡がり ,  1部 ,  固有 ,  セル ,  振舞い