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J-GLOBAL ID：201502220921872569   整理番号：15A0777247

低温蒸着バッファ層によるサファイア上のGaN層の成長およびマグネシウムドーピングと電子ビーム照射によるp型GaNの実現(ノーベル賞講演)

Growth of GaN Layers on Sapphire by Low-Temperature-Deposited Buffer Layers and Realization of p-type GaN by Magesium Doping and Electron Beam Irradiation (Nobel Lecture)

著者 (1件)： AMANO Hiroshi (Dep. of Electrical Engineering and Computer Sci., Venture Business Lab., Akasaki Res. Center, Nagoya Univ. (Japan). ...)
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 54  号： 27  ページ： 7764-7769  発行年： 2015年06月26日 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レビューは,サファイア基板に窒化ガリウム(GaN)を成長させる方法の開発に至った研究に対する個人的な感想である。その結果は,青色LEDを使用したスマートディスプレイシステムの開発への道を開いた。最も重要な研究は80年代の中期から後期になされた。p型GaNの実現とGaNの成長を可能にする技術による著者の研究とプロセスの背景を概観した。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 低温 ,  基板 ,  サファイア ,  *結晶成長 ,  マグネシウム ,  ドーピング ,  電子照射 ,  P型半導体 ,  *窒化ガリウム ,  バッファ層 ,  *発光ダイオード ,  賞罰
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  ノーベル賞 ,  *青色LED ,  電子ビーム照射

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (10件)： 低温 ,  蒸着 ,  バッファ層 ,  サファイア ,  GaN ,  成長 ,  マグネシウム ,  ドーピング ,  電子ビーム照射 ,  講演