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J-GLOBAL ID：201502220960360532   整理番号：15A1126728

GaNH EMTデバイスのXパラメータ測定:ロードプル特性化試験装置の複雑性低減研究【Powered by NICT】

X-parameter measurement on a GaN HEMT device: complexity reduction study of load-pull characterization test setup

著者 (1件)： Wang Yelin (Dep. of Electronic Systems, Aalborg Univ., Denmark, Aalborg O)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 2  ページ： 024004-1-024004-10  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力トランジスタの特性は,無線周波数とマイクロ波電力増幅器の設計に不可欠なステップである。正規RF電力トランジスタの正確で包括的なキャラクタリゼーションに必要である全高調波ロードプル測定セットアップ。装置は通常非常に複雑で,比較的高いハードウェアコストと低測定のスループットをもたらした。本論文では,窒化ガリウム(GaN)高電子移動トランジスタにXパラメータ測定を提示し,トランジスタの特性化のための高調波ロードプル測定セットアップの複雑さを減少させる高度にXパラメータベースモデリング技術を利用する可能性を研究した。Xパラメータ測定と特性評価を通じて,装置の負荷インピーダンスは,基本周波数でのみ調整と制御され,他の高次高調波で制御されていない左である。しかし,抽出されたXパラメータは依然として高い精度,負荷インピーダンスは三次高調波周波数まで調整される時に中等度からデバイスの挙動を予測できることを予備的に証明した。デバイスは三次高調波周波数までの負荷調整下で特徴付けられ,Xパラメータを利用してであるにもかかわらず,基本的なのみロードプル試験装置はすでに十分であることを意味している。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 周波数 ,  スループット ,  ステップ ,  *キャラクタリゼーション ,  窒化ガリウム ,  電力トランジスタ ,  インピーダンス ,  高調波 ,  *試験装置 ,  電子移動 ,  基本振動数 ,  段取 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： 第三高調波 ,  無線周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： EMT ,  パラメータ ,  ロードプル ,  特性化 ,  試験装置 ,  複雑性低減 ,  研究