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J-GLOBAL ID：201502221171535448   整理番号：15A1140928

層状ε-GaSe半導体中の相間境界の電荷中性レベルと電子特性

On the charge neutrality level and the electronic properties of interphase boundaries in the layered ε-GaSe semiconductor

著者 (3件)： BRUDNYI V. N. (Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS) ,  SARKISOV S. Yu. (Tomsk State Univ., 634050, Tomsk, RUS) ,  KOSOBUTSKY A. V. (Kemerovo State Univ., 650043, Kemerovo, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 10  ページ： 1307-1310  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属の仕事関数に依存する(金,パラジウム,白金,銅,銀,スズ,インジウム,アルミニウム,マグネシウム,カルシウム,リチウム,セシウム)/セレン化ガリウム(0001)Schottky障壁高さおよびセレン化インジウム(0001)/セレン化ガリウム(0001)とセレン化ガリウム(0001)/シリコン(111)ヘテロ対におけるエネルギーバンドオフセットをセレン化ガリウム(0001)表面における金属または半導体誘起トンネル状態による界面静電双極子の部分的遮蔽に配慮した電荷中性レベルCNL_νh(GaSe)=E_v+0.83eVの概念の枠で解析した。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  セレン化物 ,  インジウム化合物 ,  ケイ素 ,  金 ,  白金 ,  銅 ,  銀 ,  スズ ,  インジウム ,  アルミニウム ,  マグネシウム ,  カルシウム ,  リチウム ,  セシウム ,  *ヘテロ接合 ,  バンドオフセット ,  トンネル効果 ,  双極子 ,  遮蔽 ,  *化学的性質 ,  仕事関数 ,  Schottky障壁 ,  *電子状態
準シソーラス用語： シリコン ,  セレン化インジウム ,  セレン化ガリウム ,  *中性 ,  Schottky障壁高さ

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 層状 ,  GaSe ,  相 ,  境界 ,  電荷 ,  中性 ,  電子