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J-GLOBAL ID：201502221199962570   整理番号：15A1374935

Ni/SiO₂/n-4H SiC MOSデバイスにおけるFowler-Nordheim電子トンネリングメカニズム

Fowler-Nordheim electron tunneling mechanism in Ni/SiO₂/n-4H SiC MOS devices

著者 (4件)： KODIGALA Subba Ramaiah (California State Univ., CA, USA) ,  CHATTOPADHYAY S. (California State Univ., CA, USA) ,  OVERTON C. (California State Univ., CA, USA) ,  ARDOIN I. (California State Univ., CA, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 114  ページ： 104-110  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 半導体素子 ,  MOSFET ,  *Fowler-Nordheimトンネリング ,  *トンネル効果 ,  二酸化ケイ素 ,  *MOS構造 ,  高さ
準シソーラス用語： SiC素子 ,  障壁高さ ,  *電子トンネリング

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ni ,  SiO2 ,  SiC ,  MOSデバイス ,  電子トンネリング ,  メカニズム