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J-GLOBAL ID：201502221326012110   整理番号：15A0221196

In_0.65Ga_0.35As/GaAs_0.4Sb_0.6トンネルFETの0.5V電源電圧動作

0.5V Supply Voltage Operation of In_0.65Ga_0.35As/GaAs_0.4Sb_0.6 Tunnel FET

著者 (10件)： RAJAMOHANAN Bijesh (Pennslyvania State Univ., PA, USA) ,  RAJAMOHANAN Bijesh (SanDisk Corp., CA, USA) ,  PANDEY Rahul (Pennslyvania State Univ., PA, USA) ,  CHOBPATTANA Varistha (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  VAZ Canute (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  GUNDLACH David (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  CHEUNG Kin P. (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  SUEHLE John (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  STEMMER Susanne (Univ. California at Santa Barbara, CA, USA) ,  DATTA Suman (Pennslyvania State Univ., PA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 1  ページ： 20-22  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低電力論理応用向けの有望なCMOS代替デバイスと認められるIII-V族半導体トンネルFETで,急峻なスイッチングスロープと高駆動電流とを同時に達成した。スタガギャップIn_0.65Ga_0.35As/GaAs_0.4Sb_0.6トンネルFETを作製し,特性化を行った結果による。300K 電源電圧0.5Vにて,最小スイッチングスロープ64mV/桁,およびオン電流8.4μA/μmを実証した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  アンチモン化物 ,  *傾斜 ,  *電流 ,  真空蒸着 ,  素子構造
準シソーラス用語： GaAsSb ,  ゲートスタック ,  *サブスレッシュホールド傾斜 ,  *トンネルFET ,  ヘテロ構造 ,  *駆動電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： トンネルFET ,  電源電圧