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J-GLOBAL ID：201502221326299649   整理番号：15A1314792

触媒反応支援化学蒸着により成長したZnO膜の特性に対するN₂Oガス添加の効果

Effects of N₂O gas addition on the properties of ZnO films grown by catalytic reaction-assisted chemical vapor deposition

著者 (6件)： YASUI Kanji (Dep. of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka ...) ,  MORIOKA Makoto (Dep. of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka ...) ,  KANAUCHI Shingo (Dep. of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka ...) ,  OHASHI Yuki (Dep. of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka ...) ,  KATO Takahiro (Dep. of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka ...) ,  TAMAYAMA Yasuhiro (Dep. of Electrical, Electronic, and Information Engineering, Nagaoka Univ. of Technol., 1603-1 Kamitomioka, Nagaoka ...)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 6  ページ： 061519-061519-5  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a面(11-20)サファイア(a-Al₂O₃)基板上に成長した酸化亜鉛(ZnO)膜の特性にN₂Oガス添加が及ぼす影響を,ジメチル亜鉛と,白金(Pt)ナノ粒子上の触媒H₂-O₂反応で発生した高温H₂Oとの反応に基づく化学蒸着法を使って調べた。N₂Oを添加すると,結晶ファセットのサイズが大きくなり,c軸に沿った結晶方位が改善されることが分った。290Kの電子移動度も,3.2×10^-3Paの圧力でN₂Oガスを添加した後,234cm²/Vsへ高くなった。また,10Kで中性のドナー束縛励起子から生じた最も強い光ルミネセンスピークの半幅全値は,3.1×10^-2Paの圧力でN₂Oガスを添加すると,0.6meVへ低下した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  基板 ,  化合物半導体 ,  酸化二窒素 ,  ナノ粒子 ,  *化学蒸着 ,  ファセット ,  結晶方位 ,  *キャリア移動度 ,  *光ルミネセンス ,  FWHM ,  励起子
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  一酸化二窒素 ,  酸化物半導体 ,  *電子移動度 ,  白金ナノ粒子

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

物質索引 (1件)： ジメチル亜鉛

タイトルに関連する用語 (6件)： 触媒反応 ,  支援 ,  化学蒸着 ,  成長 ,  ZnO ,  N2O