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J-GLOBAL ID：201502221342670535   整理番号：15A1321530

MOCVD法により合成されたNドープZnOナノ構造のp型導電性の起源

Origin of p-type conductivity for N-doped ZnO nanostructure synthesized by MOCVD method

著者 (6件)： DAS Sachindranath (Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  PATRA Subhasish (Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  PRAKASH Kar Jyoti (Dep. of Physics, National Inst. of Technol., Raurkella, IND) ,  ROY Atanu (Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  RAY Apurba (Dep. of Instrumentation Sci., Jadavpur Univ., Kolkata, IND) ,  MYOUNG Jae-Min (Dep. of Material Sci. and Engineering, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 161  ページ： 701-704  発行年： 2015年12月15日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N源としてNH₃ガスを用いて有機金属化学気相成長法によりサファイア基板上に無添加および窒素ドープZnOナノ構造体を成長させた。無添加およびN添加ZnOナノ構造体の構造と光学特性評価を行った。XRDの研究はいくつかのピークおよび他のピークの相対的な強度が((002)と比較して)Nの高い取込みにより増加することを示した。PLの研究により,成長過程におけるいくつかのドナーレベル(構造欠陥に起因して発生する)とアクセプタレベル(N添加に起因して発生する)によるPLピーク幅と強度が強くNH₃濃度により影響される事実を明らかにした。堆積過程におけるNH₃濃度の増加に伴い,Nの増加によるO置換および多量のN_O欠陥の出現がPLスペクトルに示された。欠陥レベルの出現の影響により酸素欠陥の影響が補償され,これはNドープZnOのp型の性質に起因する。NドープZnOナノ構造のp型の性質はHall効果測定を使用して確認した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *窒素 ,  ドーピング ,  *蒸着膜 ,  ナノ構造 ,  *MOCVD ,  *導電性 ,  *P型半導体 ,  サファイア ,  基板 ,  光学的性質 ,  光ルミネセンス ,  ドナー ,  アクセプタ ,  格子欠陥 ,  構造 ,  酸素 ,  置換 ,  空格子点 ,  スペクトル ,  欠陥準位 ,  点欠陥 ,  Hall効果 ,  アンモニア ,  可視光 ,  紫外線
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  光ルミネセンススペクトル ,  光透過スペクトル ,  構造欠陥 ,  酸素欠陥

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

物質索引 (1件)： ジエチル亜鉛

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  ドープ ,  ZnO ,  ナノ構造 ,  導電性 ,  起源