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J-GLOBAL ID：201502221438747369   整理番号：15A0876202

小角X線散乱技法によるシリコン微結晶の研究

Investigation of microcrystalline silicon by the small-angle X-ray-scattering technique

著者 (5件)： SHARKOV M. D. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  BOIKO M. E. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  BOIKO A. M. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  BOBYL A. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  KONNIKOV S. G. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical-Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 49  号： 8  ページ： 1052-1056  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二種類の太陽電池用シリコン微結晶試料を小角X線散乱で調べた。この種微結晶はスメクチック型の表面組織を形成しており,その上に成長する活性層の機能と形態に大きな関連を持つ。調べた二種類の太陽電池試料は型が違うが,シリコン結晶片の高さは230と23nmで計画値200と20nmとは食い違っていた。表面層は局所的には秩序を作るサイズ約3nmのアモルファスシリコン片から成るが,その際ガラス基板は透過モードでの測定のために設置した。Copyright 2015 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *小角X線散乱 ,  *太陽電池 ,  粒度分布 ,  深さ分布 ,  ネットワーク ,  スメクチック相 ,  *表面構造 ,  微結晶 ,  アモルファスシリコン ,  基板
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池 ,  表面組織 ,  ガラス基板

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 小角X線散乱 ,  技法 ,  シリコン ,  微結晶 ,  研究