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J-GLOBAL ID：201502225897613302   整理番号：15A0298521

低温原子層デポジション法で作ったZnOベースプレーナSchottkyダイオードにおける二酸化ハフニウムスペーサの役割:電流電圧特性の研究

Role of the Hafnium Dioxide Spacer in the ZnO-Based Planar Schottky Diodes Obtained by the Low-Temperature Atomic Layer Deposition Method: Investigations of Current-Voltage Characteristics

著者 (6件)： ZAKRZEWSKI Adam J. ,  KRAJEWSKI Tomasz A. (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  LUKA Grzegorz (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GOSCINSKI Krzysztof (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GUZIEWICZ Elzbieta (Inst. Physics, Polish Acad. Sci., Warsaw, POL) ,  GODLEWSKI Marek
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 2  ページ： 630-633  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO Schottkyダイオードのメタル電極下に薄いHfO₂膜を入れるとZnO表面を雰囲気の影響から守り特性を維持させる。厚さ1.25~7.5nmのHfO₂界面層を含むAgznO/TiAuプレーナSchottkyダイオードの電流電圧特性モデリングの結果を報告する。順方向特性は熱イオン放出理論で記述できることが分かった。理想因子,実効Schottky障壁高さを含むダイオードパラメータを決定した。ZnOと銀コンタクトの間にある2.5nm厚のHfO₂スペーサが最も高い実効Schottky障壁高さ(~0.7eV)を示し,良好な整流比(プラス-2.5Vで7×10²)を示した。調査したダイオードの電気的挙動は,整流構造の理論解析を純粋な熱イオン放出理論だけでなく,界面層を通したトラップアシストトンネリングのような,他のキャリア輸送メカニズムも含めるべきであることを示している。

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  モデリング ,  化学蒸着 ,  酸化亜鉛 ,  *酸化ハフニウム ,  *スペーサ ,  *電流電圧特性 ,  イオン放出 ,  因子 ,  Schottky障壁
準シソーラス用語： ALD【蒸着】 ,  Schottkyダイオード ,  Schottky障壁高さ ,  ZnO ,  熱イオン放出 ,  半導体素子モデリング ,  理想因子

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (11件)： 低温 ,  原子層 ,  ポジション ,  ZnO ,  プレーナ ,  Schottkyダイオード ,  二酸化ハフニウム ,  スペーサ ,  役割 ,  電流電圧特性 ,  研究