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J-GLOBAL ID：201502228708376132   整理番号：15A0362302

Cu₂ZnSnS₄薄膜の多段共蒸着中のその場プロセスモニター

In situ process monitoring during multistage coevaporation of Cu₂ZnSnS₄ thin fiilms

著者 (5件)： MISE Takahiro (Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Inc., Aichi 480-1192, JPN) ,  TAJIMA Shin (Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Inc., Aichi 480-1192, JPN) ,  FUKANO Tatsuo (Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Inc., Aichi 480-1192, JPN) ,  HIGUCHI Kazuo (Toyota Central Res. and Dev. Laboratories, Inc., Aichi 480-1192, JPN) ,  KATAGIRI Hironori (Dep. of Electrical and Electronic Systems Engineering, Nagaoka National Coll. of Technol., Niigata 940-8532, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 2  ページ： 021206-021206-11  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大気中での付加的な硫化無しで多段共蒸着プロセスで直接Cu₂ZnSnS₄(CZTS)薄膜成長を行った。再現性の有るCZTS膜を得る為にパイロメータを用いて基板温度(T_pyro)を測定することによるその場プロセスモニターを開発した。様々なエンドポイントでCZTS蒸着が終了後膜の成長メカニズムを説明する為に膜特性の評価を行った。CZTS相形成は初段階の初期のSnーSベースのコンパウンドの再蒸着で著しく遅れることが分かり,初期形成は(CuS+ZnS)構造が優勢で少量のCZTSと共存している。CZTS相形成は続いて第二段階で(CuS+ZnS)前駆体により基板温度T_pyroの明らかな変化はあるが銅リッチから銅プアのシーケンス介して実施され,若干分離したCuS相は(Zn+Sn+S)フラックスの元で消費される。その結果,程々のT_sub500°C以下で過剰なSnとSフラックスの元,グレーンが密に充填された単一ケステライト構造のCZTS薄膜が成功裏に成長出来た。最良の太陽電池はガラス/Mo/CZTS[Cu/(Zn+Sn)=0.71,Zn/Sn=1.6]/CdS/ZnO:Ga構造とNaF前駆体層であり,活性面積(0.17cm²)で効率3.84%,(V_oc=567mV,J_sc=11.3mA/cm²,FF=0.603)となる。暗と光の条件でのダイオード特性も評価した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *多段階過程 ,  *同時蒸着 ,  *硫化物 ,  *スズ化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *銅化合物 ,  化合物半導体 ,  監視 ,  基板温度 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： 共蒸着 ,  *CZTS ,  プロセスモニタリング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu2ZnSnS4 ,  薄膜 ,  多段 ,  共蒸着 ,  プロセス ,  モニター