AlGaN/GaN Schottkyダイオードの信頼性に対するGaNキャップ層の効果

KANG He; WANG Quan; XIAO Hongling; WANG Cuimei; JIANG Lijuan; FENG Chun; CHEN Hong; YIN Haibo; QU Shenqi; PENG Enchao; GONG Jiamin; WANG Xiaoliang; LI Baiquan; WANG Zhanguo; HOU Xun

文献

J-GLOBAL ID：201502228954564541 整理番号：15A0628099

AlGaN/GaN Schottkyダイオードの信頼性に対するGaNキャップ層の効果

Effects of a GaN cap layer on the reliability of AlGaN/GaN Schottky diodes

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著者 (15件)：

KANG He

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WANG Quan

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XIAO Hongling

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QU Shenqi

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PENG Enchao

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GONG Jiamin

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HOU Xun

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Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)

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巻： 212 号： 5 ページ： 1158-1161 発行年： 2015年05月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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本論文では,AlGaN/GaN及びGaN/AlGaN/GaN系Schottky障壁ダイオード(SBD)を作製し,比較して研究した。これら素子の記録した電気特性は,GaNキャップ層を導入すると,逆漏れ電流が明らかに低減され,素子の順方向電流減衰が抑制されることを示す。もっと重要なことは,GaN/AlGaN/GaN系SBDは,逆特性の回復不可能な劣化を大きく低減でき,これは,GaNキャップ層がない素子で,素子を長時間逆dcストレス下に置いたとき観測された。詳細な分析を論じた。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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