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J-GLOBAL ID：201502229066660393   整理番号：15A0495156

不整方位グラフェン層からなる垂直デバイス中の歪誘導伝導ギャップ

Strain-induced conduction gap in vertical devices made of misoriented graphene layers

著者 (5件)： NGUYEN V Hung (Univ. Paris Sud, Orsay, FRA) ,  NGUYEN V Hung (Inst. of Physics, Vietnam Acad. of Sci. and Technol., Hanoi, VNM) ,  NGUYEN Huy-Viet (Inst. of Physics, Vietnam Acad. of Sci. and Technol., Hanoi, VNM) ,  SAINT-MARTIN J (Univ. Paris Sud, Orsay, FRA) ,  DOLLFUS P (Univ. Paris Sud, Orsay, FRA)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 26  号： 11  ページ： 115201,1-8  発行年： 2015年03月20日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不整方位グラフェン層からなる垂直デバイスとは,ボトム層とトップ層をツイストしたグラフェン二分子層でつなぎ,それぞれの層に導線をつけたデバイスである。この二グラフェン格子の異なる配向のために,それらのDirac点は変位し,歪効果によりk空間中で分離される。本稿では,数百meVと大きい有限伝導ギャップを数パーセントの歪により得ることができた。この伝導ギャップの歪の大きさ,歪の方向,チャネル配向およびねじれ角に対する依存性を明らかにした。これに基づいて,伝導度の強い変調とSeebeck係数が改良されたことを示した。提案したデバイスはグラフェンの応用,例えばトランジスタと歪熱センサの改良のための有望な方法である。

シソーラス用語： *半導体素子 ,  *グラフェン ,  *格子歪 ,  *格子不整合 ,  *エネルギーギャップ ,  バンド構造 ,  電気伝導率 ,  二分子層 ,  リード線 ,  分子配向 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： Dirac点 ,  k空間 ,  Seebeck係数 ,  ねじれ角 ,  熱センサ ,  歪センサ ,  歪効果

分類 (4件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： 不整 ,  方位 ,  グラフェン ,  垂直 ,  歪 ,  誘導 ,  伝導 ,  ギャップ