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J-GLOBAL ID：201502229514494254   整理番号：15A0479212

イオンビームスパッタリング蒸着により成長させた単一Ge/Si量子ドットの電気的性質

Electronic properties of single Ge/Si quantum dot grown by ion beam sputtering deposition

著者 (9件)： WANG C (Yunnan Univ., Kunming, CHN) ,  WANG C (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  KE S Y (Yunnan Univ., Kunming, CHN) ,  YANG J (Yunnan Univ., Kunming, CHN) ,  YANG J (Fudan Univ., Shanghai, CHN) ,  HU W D (Shanghai Inst. of Technical Physics, Chinese Acad. of Sci., Shanghai, CHN) ,  QIU F (Yunnan Univ., Kunming, CHN) ,  WANG R F (Yunnan Univ., Kunming, CHN) ,  YANG Y (Yunnan Univ., Kunming, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 26  号： 10  ページ： 105201,1-9  発行年： 2015年03月13日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,イオンビームスパッタリング蒸着により成長させた単一Ge/Si量子ドット(QD)の成長温度とQD直径に対する依存性を導電性原子間力顕微鏡法(CAFM)により調べた。原子間力顕微鏡を用いたのはアレイ中の単一QDに関する情報を得るためである。その結果,高成長温度(>700°C)で成長させたQDにおいて電流電圧特性で観測される階段状電流分布が正孔の共鳴トンネリングのために転位QDとSi基板間の付加的な障壁の形成によるCoulombブロッケード効果により誘導されたことを示した。提案した単一正孔トンネリングモデルにより,インコヒーレントQDサイズの減少とともに増加する相互混合効果が階段状電流の開始電圧の増加と電流ステップ幅の減少を説明できることを示した。

シソーラス用語： *量子ドット ,  *電気的性質 ,  *ゲルマニウム ,  *ケイ素 ,  スパッタ蒸着 ,  *イオンビームスパッタリング ,  *結晶成長 ,  直径 ,  原子間力顕微鏡 ,  アレイ ,  電流電圧特性 ,  電流分布 ,  正孔 ,  共鳴トンネル効果 ,  転位【結晶】 ,  Coulombブロッケード
準シソーラス用語： 成長温度 ,  *単一量子ドット ,  導電性原子間力顕微鏡

分類 (4件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオンビームスパッタリング ,  蒸着 ,  成長 ,  Ge ,  Si ,  量子ドット ,  電気的性質