文献

J-GLOBAL ID：201502229680028741   整理番号：15A0473131

超低電力埋め込み計算設計用抵抗メモリ

Resistive Memories for Ultra-Low-Power embedded computing design

著者 (17件)： VIANELLO E. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  THOMAS O. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  MOLAS G. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  TURKYILMAZ O. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  JOVANOVIC N. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  GARBIN D. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  PALMA G. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  ALAYAN M. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  NGUYEN C. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  COIGNUS J. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  GIRAUD B. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  BENOIST T. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  REYBOZ M. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  TOFFOLI A. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  CHARPIN C. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  CLERMIDY F. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA) ,  PERNIOLA L. (CEA LETI Minatec Campus, Grenoble, FRA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2014  ページ： 144-147  発行年： 2014年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 16および32ギガビットReRAMテストチップの発表はReRAMがフラッシュメモリに代わる可能性を示している。不揮発性の導入で待機リークがゼロにできるパワー管理やフリーズモードが可能になる。本稿は最適化したReRAM技術を使った超低電力埋め込み計算設計の利点を示した。HfO₂/GeS₂ベースCBRAMのようにメモリウィンドウの広いデバイスは,FPGA構造メモリを高密度で低リークのセルにできる。HfO₂/TiベースOxRAMのような低電圧/低スイッチング時間のセルでは10ns(1V)の高速スイッチングと10⁸サイクルを超える高い耐久性が可能であり,ワイヤレスシステムで高速フリーズモードとゼロリークの道を拓くものである。

シソーラス用語： *消費電力 ,  RAM【メモリ】 ,  記憶素子 ,  不揮発性メモリ ,  FPGA ,  酸化ハフニウム ,  ゲルマニウム化合物 ,  硫化物 ,  フィラメント ,  漏れ電流
準シソーラス用語： *ReRAM ,  メモリウィンドウ【半導体】 ,  *リーク電流 ,  超低電力 ,  抵抗メモリ ,  導電フィラメント ,  硫化ゲルマニウム

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 低電力 ,  埋め込み ,  計算 ,  設計 ,  抵抗メモリ