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J-GLOBAL ID：201502231072682140   整理番号：15A0741905

走査X線回折顕微鏡法による最新CMOS応用のための300mmのSiGe仮想基板の構造と組成均質化のイメージング

Imaging Structure and Composition Homogeneity of 300 mm SiGe Virtual Substrates for Advanced CMOS Applications by Scanning X-ray Diffraction Microscopy

著者 (15件)： ZOELLNER Marvin H. (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  RICHARD Marie-Ingrid (European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, FRA) ,  RICHARD Marie-Ingrid (Aix-Marseille Univ., Marseille, FRA) ,  CHAHINE Gilbert A. (European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, FRA) ,  ZAUMSEIL Peter (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  REICH Christian (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  CAPELLINI Giovanni (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  MONTALENTI Francesco (Universita degli Studi di Milano-Bicocca, Milano, ITA) ,  MARZEGALLI Anna (Universita degli Studi di Milano-Bicocca, Milano, ITA) ,  XIE Ya-Hong (Univ. California at Los Angeles, California, USA) ,  SCHUELLI Tobias U. (European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, FRA) ,  HAEBERLEN Maik (Siltronic AG, Muenchen, DEU) ,  STORCK Peter (Siltronic AG, Muenchen, DEU) ,  SCHROEDER Thomas (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHROEDER Thomas (Brandenburgische Technische Univ. Cottbus, Cottbus, DEU)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 17  ページ： 9031-9037  発行年： 2015年05月06日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS応用では,半導体ヘテロ構造などを形成するための基板が重要となる。一般に,Siウエハが利用され,化学的および機械的な研磨が行われている。また,歪緩和用のバッファ層も利用されている。ウエハの特性に及ぼす影響を明確化するために,SiGeの仮想基板の構造と組成について検討した。走査X線回折顕微鏡法を利用して,SiGeの段階状歪緩和バッファ層の特性を観測した。基板には,300mmのSi(001)ウエハを利用した。バッファ層の傾斜,化学組成,格子歪などの横方向空間分布を示した。研磨の有無において,表面性状を評価した。構造特性と実空間形態との相関を示した。また,網状線パターンを利用して,格子曲げ特性も調べた。この結果,格子曲げ特性は転位に起因し,歪場と組成分布の間の強い相関が存在することが分かった。化学的および機械的な研磨で,傾斜,化学組成,格子歪などが著しく変化しないことも判明した。

シソーラス用語： *X線トポグラフィー ,  顕微鏡 ,  画像処理 ,  *半導体材料 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  基板 ,  構造解析 ,  均質化 ,  化学組成 ,  CMOS構造 ,  転位網 ,  ウエハ【IC】 ,  研磨 ,  緩和現象 ,  バッファ層 ,  格子歪 ,  横方向 ,  空間分布 ,  表面性状 ,  表面拡散 ,  転位【結晶】
準シソーラス用語： *SiGe ,  Siウエハ ,  *X線回折顕微鏡法 ,  光イメージング ,  走査顕微鏡 ,  歪緩和

分類 (2件)： X線技術  (BA02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 走査 ,  X線回折顕微鏡法 ,  CMOS ,  応用 ,  SiGe ,  仮想 ,  組成 ,  均質化 ,  イメージング