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J-GLOBAL ID：201502235065035053   整理番号：15A0700836

バックゲートの寄与を含めた先進SOI-MOSFETsの移動度モデル

Mobility model for advanced SOI-MOSFETs including back-gate contribution

著者 (8件)： ZENITANI Hiroshi (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  KIKUCHIHARA Hideyuki (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  FELDMANN Uwe (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIYAMOTO Hidenori (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MATTAUSCH Hans Juergen (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  MIURA-MATTAUSCH Michiko (Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN) ,  NAKAGAWA Tadashi (Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  SUGII Nobuyuki (Low-Power Electronics Assoc. & Project, Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DC03.1-04DC03.6  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本法で非常に薄いシリコンオンインシュレータで埋め込み酸化物の付いた先進SOI-MOSFETsはバックゲートの寄与を考慮した改造版の移動度モデルを必要としていることを確認した。更に新しく開発したコンパクトな移動度モデルを提示し,これがこれらの先進SOI-MOSFETsの必要を満たし,そして低電場移動度の一般性を保持している。新しいモデリングの重要な特性は実効的な電場は表面に誘起される電場だけでなくSOIとBOXを横切る電圧分布に変化を受ける。開発したモデルにより,広い範囲のバイアス条件に於ける測定した電流特性の再現が可能となった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *SOI構造 ,  *MOSFET ,  *埋込み【挿入】 ,  *酸化物 ,  *キャリア移動度 ,  *モデリング ,  分布 ,  電場効果 ,  電流電圧特性 ,  バイアス ,  条件 ,  *ゲート【半導体】
準シソーラス用語： 電圧分布 ,  バイアス条件 ,  *バックゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (25件)：

• R.-H. Yan, A. Ourmazd, and K. F. Lee, IEEE Trans. Electron Devices 39, 1704 (1992).
• O. Kononchuk and B.-Y. Nguyen, Silicon-on-Insulator (SOI) Technology: Manufacture and Applications (Woodhead Publishing, Cambridge, U.K., 2014).
• T. Skotnicki, IEEE Int. SOI Conf., 2011, p. 1.
• R. Tsuchiya, M. Horiuchi, S. Kimura, M. Yamaoka, T. Kawahara, S. Maegawa, T. Ipposhi, Y. Ohji, and H. Matsuoka, IEDM Tech. Dig., 2004, p. 631.
• Y. Morita, R. Tsuchiya, T. Ishigaki, N. Sugii, T. Iwamatsu, T. Ipposhi, H. Oda, Y. Inoue, K. Torii, and S. Kimura, Proc. VLSI Technology. Symp., 2008, p. 166.

タイトルに関連する用語 (4件)： バックゲート ,  SOI ,  移動度 ,  モデル